[发明专利]非易失性存储器设备和包括其的存储设备

权利要求书

1.一种非易失性存储器设备，包括：

存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储器块，每个存储器块包括多个单元串，每个单元串包括接地选择晶体管、多个存储器单元和串选择晶体管；

行解码器电路，通过接地选择线、字线和串选择线连接到每个存储器块的接地选择晶体管、存储器单元和串选择晶体管；

页缓冲器电路，通过多个位线连接到每个存储器块的所述单元串的所述串选择晶体管；以及

控制逻辑电路，被配置为控制所述行解码器电路和所述页缓冲器电路：(1)在顺序地选择所述多个存储器块中的每一个的同时，执行对所选存储器块的所述串选择晶体管或所述接地选择晶体管进行编程的预编程，并且(2)在完成所述预编程之后，在顺序地选择所述多个存储器块中的每一个的同时，执行对所选存储器块的所述串选择晶体管或所述接地选择晶体管进行编程的主编程，并通过使用第一验证电压对所选存储器块的所述串选择晶体管或所述接地选择晶体管的编程执行验证。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器设备，其中，在所述主编程期间，在所选存储器块中，在所述串选择晶体管当中对两个或更多个串选择晶体管或者在所述接地选择晶体管当中对两个或更多个接地选择晶体管同时编程。

3.如权利要求1所述的非易失性存储器设备，其中，在所述预编程期间，对所选存储器块的所述串选择晶体管或所述接地选择晶体管同时编程而无需通过将验证电压施加到所选存储器块的串选择晶体管或接地选择晶体管来验证实现编程。

4.如权利要求1所述的非易失性存储器设备，其中，在所述预编程期间，对所选存储器块的所述串选择晶体管或所述接地选择晶体管重复编程特定次数。

5.如权利要求1所述的非易失性存储器设备，其中，在所述预编程期间，所选存储器块的所述串选择晶体管或所述接地选择晶体管被编程并且随后通过使用第二验证电压被验证。

6.如权利要求5所述的非易失性存储器设备，其中：

如果使用所述第二验证电压的验证结果指示通过，则所述预编程结束，以及

即使使用所述第二验证电压的验证结果指示失败，但如果对所选存储器块的所述串选择晶体管或所述接地选择晶体管重复编程特定次数，则所述预编程结束。

7.如权利要求1所述的非易失性存储器设备，其中：

在逐步增大编程电压的同时，所述预编程和所述主编程对所选存储器块的所述串选择晶体管或所述接地选择晶体管重复地编程，

所述预编程的编程开始电压低于所述主编程的编程开始电压，以及

所述预编程的编程电压的增量大于所述主编程的编程电压的增量。

8.如权利要求7所述的非易失性存储器设备，其中：

在所述预编程和所述主编程期间，所选存储器块的所述串选择晶体管或所述接地选择晶体管被编程并且随后被验证，以及

所述预编程的验证电压低于所述主编程的验证电压。

9.如权利要求1所述的非易失性存储器设备，其中：

所述预编程包括第一预编程和第二预编程，

所述第一预编程在无需验证的情况下或在通过使用第二验证电压执行验证的同时对所选存储器块的所述串选择晶体管或所述接地选择晶体管编程，以及

在完成对所述多个存储器块的所述第一预编程之后，所述第二预编程在无需验证的情况下或在通过使用第三验证电压执行验证的同时对所选存储器块的所述串选择晶体管或所述接地选择晶体管编程。

10.如权利要求9所述的非易失性存储器设备，其中：

在逐步增大编程电压的同时，所述第一预编程和所述第二预编程对所选存储器块的所述串选择晶体管或所述接地选择晶体管重复地编程，

所述第一预编程的编程开始电压低于所述第二预编程的编程开始电压，

所述第一预编程的编程电压的增量大于所述第二预编程的编程电压的增量，以及

所述第二验证电压低于所述第三验证电压。