[发明专利]形成高k接触衬垫以改善有效贯孔间隔距离的方法

权利要求书

1.一种形成集成电路的方法，该方法包含：

形成位于鳍片上面的多个栅极结构，

形成介于该多个栅极结构其中两个相邻者之间的牺牲接触部，其中，该牺牲接触部具有布置于其顶端表面上的硬掩膜层；

形成位于该牺牲接触部及该硬掩膜层的两侧上、位于该硬掩膜层的顶端表面上，以及位于该多个栅极结构上面的衬垫层；

形成位于该衬垫层上面的第一介电层；

平坦化该第一介电层以使该硬掩膜层曝露及移除布置于该硬掩膜层的该顶端表面上的该衬垫层的一部分，且使该第一介电层的上表面对齐于该衬垫层的上表面，其中，该衬垫层的部分残留于该牺牲接触部及该硬掩膜层的该两侧上；

移除该硬掩膜层以及该牺牲接触部以界定开口；

通过以图型层填充该开口、蚀刻该图型层的一部分及该第一介电层的一部分后，剥除该图型层来形成位在该第一介电层中的第一接触开口与第二接触开口，其中，该第二接触开口曝露该多个栅极结构的其中一者；

形成位于该第一接触开口中的第一传导特征以及位于该第二接触开口中的第二传导特征，其中，该第一传导特征接触布置于该多个栅极结构其中两个相邻者之间的该鳍片的第一源极与漏极区，并且该第二传导特征接触该多个栅极结构的其中一者；

移除该衬垫层与该第一介电层的该上表面相邻的一部分以界定凹口；

形成位于该第一介电层上面且位于该凹口中的阻障层，该阻障层具有比该第一介电层的第二介电常数更大的第一介电常数；

形成位于该阻障层上面的第二介电层，以及

形成嵌埋于该第二介电层中并且接触该第二传导特征的第三传导特征。

2.如权利要求1所述的方法，其中，该阻障层包含氮化铝。

3.如权利要求2所述的方法，其中，该第一介电层包含低k介电层。

4.如权利要求1所述的方法，其中，该衬垫层包含二氧化硅。

5.如权利要求1所述的方法，其中，至少该第一接触开口的第一部分及该第二接触开口的第二部分对齐于该衬垫层的该上表面以及该第一介电层的该上表面。

6.如权利要求1所述的方法，其中，该第二接触开口也使该鳍片的第二源极与漏极区曝露，并且该第二传导特征接触该第二源极与漏极区以及该多个栅极结构中一者。

7.一种形成集成电路的方法，该方法包含：

形成位于鳍片上面的第一栅极结构、第二栅极结构及第三栅极结构；

形成介于该第一栅极结构与该第二栅极结构之间的第一牺牲接触部，其中，该第一牺牲接触部具有布置于其顶端表面上的硬掩膜层；

形成位于该第一牺牲接触部及该硬掩膜层的两侧上、位于该硬掩膜层的顶端表面上，以及位于该第一栅极结构与该第二栅极结构上面的衬垫层；

形成位于该衬垫层及该第一牺牲接触部上面的第一介电层；

平坦化该第一介电层以使该硬掩膜层曝露及移除布置于该硬掩膜层的该顶端表面上的该衬垫层的一部分，且使该第一介电层的上表面对齐于该衬垫层的上表面，其中，该衬垫层的部分残留于该第一牺牲接触部及该硬掩膜层的该两侧上；

移除该硬掩膜层以及该第一牺牲接触部以界定开口；

沉积图型层于该衬垫层的该上表面及该第一介电层的该上表面上，并且以该图型层填充该开口；

蚀刻该图型层的一部分及该第一介电层的一部分以界定第二接触开口，其中，该第二接触开口使该第三栅极结构的一部分曝露；

剥除该图型层以界定第一接触开口，其中，该第一接触开口使该鳍片的第一源极与漏极区曝露，该第一接触开口的一部分对齐于该衬垫层的该上表面以及该第一介电层的该上表面；

形成位于该第一接触开口与该第二接触开口中的传导材料以界定位于该第一接触开口中的第一传导特征以及位于该第二接触开口中的第二传导特征；

移除与该第一介电层的该上表面相邻布置的该衬垫层的一部分以界定凹口；

形成位于该第一介电层上面且位于该凹口中的阻障层，该阻障层具有比该第一介电层的第二介电常数更大的第一介电常数；

形成位于该阻障层上面的第二介电层；以及

形成嵌埋于该第二介电层中并且接触该第二传导特征的第三传导特征。