[发明专利]纳米压电陶瓷材料的制备方法在审
申请号: | 201710654415.4 | 申请日: | 2017-08-03 |
公开(公告)号: | CN107500751A | 公开(公告)日: | 2017-12-22 |
发明(设计)人: | 刘玉洁 | 申请(专利权)人: | 无锡南理工科技发展有限公司 |
主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;C04B35/622 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人: | 胡定华 |
地址: | 214192 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 压电 陶瓷材料 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及化工材料技术领域,尤其涉及一种纳米压电陶瓷材料的制备方法。
背景技术
压电陶瓷能够实现机械能与电能之间的相互转换,利用压电陶瓷制成的机 电设备:如传感器、换能器等已经被广泛应用在了军事、国防、医疗以及人类 生产生活的各个领域。PZT基压电陶瓷自从发现以来由于其优异的电学性能是 应用最广泛一类陶瓷材料。目前,在功率型超声换能器中使用的主要是硬性掺 杂的PZT基陶瓷,这类陶瓷压电应变常数d33偏低仅有230-330pC/N,严重影响 了电能与机械能之间的转换效率,另外该类材料的温度稳定性差,导致换能器 不适合在高温环境下使用并且使用寿命短,无法满足功率超声对器件的要求, 最终影响了功率超声领域的发展。
因此,为了解决压电陶瓷性能低、温度稳定性差、使用寿命短等问题,有 必要开发一种制备纳米压电陶瓷材料的方法,使获得的纳米压电材料具有良好的 高压电性能高温度稳定性。
发明内容
本发明要解决的技术问题是,提供一种高压电性能高温度稳定性的纳米压电 陶瓷材料。
为了解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:该纳米压电陶瓷材料, 组成重量配比:钛酸钡60-70份,氧化铝10-20份,纳米氧化镁2-7份,三氧化 二锑3-6份,二氧化锆1-10份,聚碳硅烷1-6份,氟化钠1-5份、氟硅酸钠1-6 份、氧化铈1-5份、废玻璃1-5份、碳化硅1-5份。
可选地,钛酸钡62份,氧化铝13份,纳米氧化镁3份,三氧化二锑4份, 二氧化锆5份,聚碳硅烷1份,氟化钠2份、氟硅酸钠3份、氧化铈1份、废玻 璃3份、碳化硅3份。
本发明进一步改进在于,废玻璃的成分按质量百分比计为:三氧化二铝4%, 三氧化二硼1%,氧化钙1%,氧化锌7.5%,氧化钡2%,三氧化二纳0.5%,氧 化钾3%,三氧化二铁0.5%,余量为二氧化硅。
本发明还要解决的技术问题是,提供一种纳米压电陶瓷材料的制备方法。
为了解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:该纳米压电陶瓷材料的 制备方法,包括以下步骤:
(1)前期准备:按成分配比称重原材料,并除去配料中的颗粒杂质,待用;
(2)混合研磨:将步骤(1)中准备的原材料放入行星式球磨机中进行研磨,使 粉体混合均匀,粒径在100-500nm;
(3)预烧:将步骤(2)中研磨后的粉末放入马弗炉中进行烧制,马弗炉的温度 在1000-1500度,烧制12-24h;
(4)二次细磨:将步骤(3)中的烧制后的粉末再次放入行星式球磨机进行研磨, 以无水乙醇为介质,使粉体的粒径在50-100nm;
(5)造粒:将步骤(4)中经二次研磨后的粉末加入粘合剂,每100g加入3g 粘合剂,进行造粒;
(6)压制成型:在压力为220-300MPa时对坯料进行陶瓷坯成型;
(7)排塑:将步骤(6)的陶瓷坯放入马弗炉中加热排塑,排塑温度为600-700 度,排塑时间为2-4h;
(8)烧结成型:将步骤(7)中经过排塑后的陶瓷坯放入通有氮气的马弗炉中进 行烧结,烧结时间为5-10h,烧结温度为1000-1600度,得到纳米压电陶瓷材料。
本发明进一步改进在于,所述步骤(5)中的粘合剂为质量浓度为5%的聚乙 烯醇水溶液。
本发明进一步改进在于,所述球磨机为行星式球磨机。
本发明进一步改进在于,所述步骤(1)中的组份质量配比为:钛酸钡50-65 份,氧化铝10-20份,纳米氧化镁2-7份,三氧化二锑3-6份,二氧化锆1-10份, 聚碳硅烷1-6份,氟化钠1-5份、氟硅酸钠1-6份、氧化铈1-5份、废玻璃1-5 份、碳化硅1-5份。
与现有技术相比,本发明具有的有益效果是:本发明的纳米压电陶瓷材料具 有良好的稳定性和实用性,且具有高压电性能高温度稳定性,可广泛应用于电池、 超声等等领域。
具体实施方式
为了加深对本发明的理解,下面将结合实施例对本发明做进一步详细描述, 该实施例仅用于解释本发明,并不对本发明的保护范围构成限定。
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