[发明专利]一种防止硅片翘片的光刻方法

说明书

一种防止硅片翘片的光刻方法，包括以下步骤，硅片清洗→匀正面胶→前烘→曝光→显影→烘干→硅片正面边缘匀胶→硅片背面匀胶→坚膜→腐蚀。通过在光刻工序显影后在图形面的周围匀上一圈光刻胶，使周围涂上胶的一圈位置不被腐蚀，这样硅片边缘不会有小缺口，不会对刮涂玻璃浆造成操作上的麻烦，同时由于硅片边缘没被腐蚀，硅片的机械强度得到一定程度的增加，而这一圈没有被腐蚀到的表面能减小玻璃成型时的玻璃收缩应力对硅片形状的影响，玻璃成型后硅片没有明显形变，表面平整，后续工序的操作不易产生碎片。

技术领域

本发明涉及一种防止硅片翘片的光刻方法。

背景技术

在玻璃内钝化工序在开始运行之初所设计的光刻版在整个光照区域都有图形，经光刻后的硅片整个表面都有图形，经腐蚀后整个表面都有沟槽，沟槽延伸到硅片边缘形成许多小的缺口，在刮涂 玻璃时，刮刀容易卡在硅片边缘的小缺口上，造成硅片碎片。再由于硅片经刮涂玻璃和玻璃成型后，由于玻璃粉在玻璃成型时的熔融过程中，沟槽内的玻璃收缩使硅片刻有图形的一面会受到因玻璃凝固收缩的应力，使得硅片易产生翘片的现象，翘片现象对后续的光刻、喷砂都来很大的操作难度，并且在操作过程中也易导致硅片碎片。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供了一种防止硅片翘片的光刻方法。

本发明通过以下技术方案得以实现。

本发明提供的一种防止硅片翘片的光刻方法；包括以下步骤，

a硅片清洗，去除表面的污染物；

b匀正面胶，在硅片静止时滴胶，然后加速旋转匀胶；

c前烘，使用90～120℃在真空情况下烘烤25～30min；

d曝光，使用投影曝光工艺对硅片曝光；

e显影，将显影液喷洒在硅片表面使光刻胶溶解；

f烘干，使用90～120℃对硅片进行烘烤4～7min；

g硅片边缘匀胶，对硅片正面边缘进行匀胶；

h背面匀胶，对硅片背面进行匀胶；

i坚膜，对使用130～170℃温度对硅片进行烘烤25～35min；

j腐蚀，腐蚀液将变质的光刻胶腐蚀掉。

所述步骤b中旋转的加速度为2800～3200rpm。

所述步骤g匀胶的宽度为4～6mm。

所述步骤c中优选的温度为100℃，烘烤时间为30min。

所述步骤f中优选的温度为100℃，时间为5min。

所述步骤i中优选的温度为150℃，时间为30min。

本发明的有益效果在于：通过在光刻工序显影后在图形面的周围匀上一圈光刻胶，使周围涂上胶的一圈位置不被腐蚀，这样硅片边缘不会有小缺口，不会对刮涂玻璃浆造成操作上的麻烦，同时由于硅片边缘没被腐蚀，硅片的机械强度得到一定程度的增加，而这一圈没有被腐蚀到的表面能减小玻璃成型时的玻璃收缩应力对硅片形状的影响，玻璃成型后硅片没有明显形变，表面平整，后续工序的操作不易产生碎片。

具体实施方式

下面进一步描述本发明的技术方案，但要求保护的范围并不局限于所述。

一种防止硅片翘片的光刻方法；包括以下步骤，

a硅片清洗，去除表面的污染物；污染物中的颗粒、有机物、工艺残余、可动离子。

b匀正面胶，在硅片静止时滴胶，然后加速旋转匀胶；使用2800～3200rpm的加速度是光刻胶的厚度在0.4～0.9μm。