[发明专利]一种防止硅片翘片的光刻方法有效
| 申请号： | 201710643122.6 | 申请日： | 2017-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN107219728B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 许小兵;柯栋栋;薛宏菊 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/20 |
| 代理公司： | 贵州派腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人： | 谷庆红 |
| 地址： | 550018 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 防止 硅片 光刻 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种防止硅片翘片的光刻方法，其特征在于：包括以下步骤，
a)硅片清洗，去除表面的污染物；
b)匀正面胶，在硅片静止时滴胶，然后加速旋转匀胶；
c)前烘，使用90～120℃在真空情况下烘烤25～30min；
d)曝光，使用投影曝光工艺对硅片曝光；
e)显影，将显影液喷洒在硅片表面使光刻胶溶解；
f)烘干，使用90～120℃对硅片进行烘烤4～7min；
g)硅片边缘匀胶，对硅片正面边缘进行匀胶；
h)背面匀胶，对硅片背面进行匀胶；
i)坚膜，对使用130～170℃温度对硅片进行烘烤25～35min；
j)腐蚀，腐蚀液将变质的光刻胶腐蚀掉。
2.如权利要求1所述的防止硅片翘片的光刻方法，其特征在于：所述步骤b)中旋转的加速度为2800～3200rpm。
3.如权利要求1所述的防止硅片翘片的光刻方法，其特征在于：所述步骤g)匀胶的宽度为4～6mm。
4.如权利要求1所述的防止硅片翘片的光刻方法，其特征在于：所述步骤c)中优选的温度为100℃，烘烤时间为30min。
5.如权利要求1所述的防止硅片翘片的光刻方法，其特征在于：所述步骤f)中优选的温度为100℃，时间为5min。
6.如权利要求1所述的防止硅片翘片的光刻方法，其特征在于：所述步骤i)中优选的温度为150℃，时间为30min。
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