[发明专利]薄膜晶体管及制备方法、显示基板、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

基板；

有源层，所述有源层设置在所述基板上，所述有源层具有离子掺杂的源极区以及离子掺杂的漏极区；

栅极以及栅绝缘层，所述栅绝缘层设置在所述栅极以及所述有源层之间，所述栅极在所述有源层上的投影与所述有源层的沟道区的至少一部分重合；

层间绝缘层，所述层间绝缘层设置在所述有源层远离所述基板的一侧；以及

源极以及漏极，所述源极以及所述漏极设置在所述层间绝缘层远离所述栅绝缘层的一侧，并通过过孔与所述有源层相连，

其中，所述层间绝缘层是由有机光阻材料形成的，所述有机光阻材料的透过率不低于96％，所述有机光阻材料的介电常数为2.4-3.5，

其中，所述离子掺杂的源极区和所述离子掺杂的漏极区是在设置所述栅极以及栅绝缘层之前，利用栅极掩膜版，对所述有源层的源极区以及漏极区进行掺杂以及活化处理形成的，所述有源层为氢化处理后的有源层，且所述氢化处理是在设置所述栅极以及所述栅绝缘层之前完成的。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，包括：

所述有源层是由低温多晶硅形成的；

所述栅绝缘层设置在所述有源层远离所述基板的一侧，所述栅绝缘层包括硅的氧化物以及硅的氮化物的至少之一；

所述栅极设置在所述栅绝缘层远离所述有源层的一侧；

所述层间绝缘层覆盖所述栅极以及所述栅绝缘层远离所述有源层一侧的表面，所述层间绝缘层包括亚克力光阻以及PI光阻的至少之一；

所述源极以及所述漏极设置在所述层间绝缘层远离所述栅极的一侧，并通过贯穿所述层间绝缘层的过孔与所述有源层相连。

3.一种制备薄膜晶体管的方法，其特征在于，包括：

在基板上沉积形成有源层；

设置栅极以及栅绝缘层，所述栅绝缘层形成在所述栅极以及所述有源层之间，所述栅极在所述有源层上的投影与所述有源层的沟道区的至少一部分重合；

在所述有源层远离所述基板的一侧设置层间绝缘层，所述层间绝缘层由有机光阻材料形成，所述有机光阻材料的透过率不低于96％，所述有机光阻材料的介电常数为2.4-3.5；以及

在所述层间绝缘层远离所述栅绝缘层的一侧，设置源极以及漏极，所述源极以及所述漏极通过过孔与所述有源层相连，

其中，设置所述栅极以及栅绝缘层之前，利用栅极掩膜版，对所述有源层的源极区以及漏极区进行掺杂以及活化处理；以及对所述有源层远离所述基板一侧的表面进行氢化处理。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述设置层间绝缘层包括：

在所述有源层远离所述基板的一侧设置有机透明薄层，通过构图工艺形成所述层间绝缘层。

5.一种显示基板，其特征在于，包括权利要求1或2所述的薄膜晶体管。

6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求5所述的显示基板。