[发明专利]高速电光调制器及其制备方法在审
| 申请号： | 201710630998.7 | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN107179617A | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | 周国瑞;蒋一岚;牛龙飞;苗心向;吕海兵;刘昊;李可欣;周海;袁晓东 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
| 主分类号： | G02F1/065 | 分类号： | G02F1/065 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙)11369 | 代理人： | 郑健 |
| 地址： | 621900 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高速 电光 调制器 及其 制备 方法 | ||
1.一种高速电光调制器，其特征在于，包括：
微纳光纤耦合器，其采用两根单模光纤缠绕在一起，放入光纤拉制平台拉制而成；
高分子电光材料层，其包覆在微纳光纤耦合器上；
电极板，其抵近设置于所述高分子电光材料层的外部。
2.如权利要求1所述的高速电光调制器，其特征在于，所述微纳光纤耦合器的横向宽度为4-6μm。
3.如权利要求1所述的高速电光调制器，其特征在于，所述单模光纤为SMF28单模光纤。
4.如权利要求1所述的高速电光调制器，其特征在于，所述高分子电光材料层的厚度为70-200nm。
5.如权利要求1所述的高速电光调制器，其特征在于，所述高分子电光材料层为二阶非线性光发射团材料层。
6.一种高速电光调制器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、将两根单模光纤缠绕在一起，放入光纤拉制平台拉制成微纳光纤耦合器；
步骤二、将微纳光纤耦合器放入高分子电光材料溶液中，采用提拉镀膜法在其表面包覆高分子电光材料层；
步骤三、将包覆高分子电光材料层的微纳光纤耦合器放在ITO电极中间进行极化，同时将整个极化装置放入恒温箱中，给极化装置进行加热，在加热过程中维持极化电压；加热完成后缓慢降温至室温，撤去极化电压，完成极化，在高分子电光材料层的外部抵近施加电极板，得到高速电光调制器。
7.如权利要求5所述的高速电光调制器的制备方法，其特征在于，所述微纳光纤耦合器的横向宽度为4-6μm；所述单模光纤为SMF28单模光纤拉制而成。
8.如权利要求5所述的高速电光调制器的制备方法，其特征在于，所述高分子电光材料溶液为二阶非线性光发射团材料丙酮溶液，所述高分子电光材料层的厚度为70-200nm。
9.如权利要求5所述的高速电光调制器的制备方法，其特征在于，所述步骤三中，ITO电极之间的距离为2-4mm，极化电压为8000-10000V；极化装置的加热温度为135～140℃；整个加热及加压过程持续时间为8～15分钟。
10.如权利要求5所述的高速电光调制器的制备方法，其特征在于，所述步骤二中，提拉镀膜法的提拉速度为100～500mm/min。
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