[发明专利]一种移动电源快充控制电路及快充移动电源在审
| 申请号: | 201710619116.7 | 申请日: | 2017-07-26 |
| 公开(公告)号: | CN107171417A | 公开(公告)日: | 2017-09-15 |
| 发明(设计)人: | 黄洪伟;戴加良;江力 | 申请(专利权)人: | 深圳英集芯科技有限公司 |
| 主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00 |
| 代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人: | 温旭 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 移动 电源 控制电路 | ||
技术领域
本申请涉及电子技术领域,尤其涉及一种移动电源快充控制电路及快充移动电源。
背景技术
近年来,智能手机快速普及,支持快充功能的手机能让手机充电速度提升2-3倍,快充手机深受用户喜欢,快充手机普及速度也越来越快。快充手机得普及也让有快充功能的手机配件销量大幅度增长,例如快充移动电源和快充充电器销量也大幅增长。
手机厂和芯片公司为了满足市场快充需求,提出了多种快充协议,例如QC3.0快充协议、PE2.0快充协议、SCP快充协议以及VOOC快充协议。根据快充电压不同,市面上快充协议分为两大类:高压快充和低压快充。QC3.0快充支持5v至12v快充,PE2.0快充支持5v至12v快充,称为高压快充;SCP快充支持3至5v快充,VOOC快充也是支持3v至5v快充,称为低压快充。
如果快充移动电源需要同时支持高压和低压快充,就需要能输出3-12v电压给手机。移动电源内部电池都是4.2v左右的电芯,它如果要实现高压快充,移动电源芯片就需要使用升压直流转换器技术,把电池电压从4.2v升压到5-12v;如果需要实现低压快充,移动电源芯片就需要使用降压直流转换技术,把电池电压从4.2v降压到3-4.2v。也就是说,快充移动电源如果要实现高压和低压快充,就需要同时要采用升压和降压直流转换器技术。
当前,为了实现移动电源同时支持高压和低压快充,现有技术中提供了如图1所示的快充控制电路结构,图1为H桥架构的升压和降压。该H桥架构包含4个功率MOS管:M1,M2,M3和M4,和一个电感L1实现的H桥、快充协议控制电路、升压控制电路和降压控制电路。具体工作原理如下:
快充协议控制电路通过接口和手机通讯,手机把自己的高压或者低压快充需求发出控制信号给快充协议控制电路,快充协议控制电路控制升压电路或者降压电路实现高压快充或者低压快充。
当移动电源芯片需要输出高于移动电源电池电压的高压快充电压时,升压和降压控制逻辑控制M1、M2、M3和M4,让M1常开形成路径管,M2关闭;控制M3和M4开关切换,M3和M4形成升压直流转换器电路(Boost DC-DC),整个H桥实现升压功能。
当移动电源芯片需要输出低于移动电源电池电压的低压快充电压时,升压和降压控制逻辑控制M1、M2、M3和M4,让M1和M2开关切换,形成降压直流转换器电路,另外M4关闭,M3常开形成路径管,整个H桥实现降压压功能。
但是上述的快充控制电路中包含了4个MOS管,这样导致现有技术中快充控制电路比较复杂,并且4个MOS占用了较大的芯片面积,增加了芯片成本,芯片集成度也降低。
发明内容
本发明实施例提供了一种移动电源快充控制电路及快充移动电源,用以解决现有技术中快充控制电路使用4个MOS管导致快充控制电路比较复杂,并且4个MOS占用了较大的芯片面积,增加了芯片成本,芯片集成度也降低的问题。
其具体的技术方案如下:
一种移动电源快充控制电路,包括:快充协议控制电路、升压控制电路、低压差线性稳压器控制电路、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、电感,所述快充协议控制电路的第一输出端接所述升压控制电路的输入端,所述升压控制电路的控制端接第一MOS管的栅极,所述升压控制电路输出端接第二MOS管的栅极,所述快充协议控制电路的第二输出端接所述低压差线性稳压器控制电路的输入端,所述低压差线性稳压器控制电路的输入端接所述第三MOS管的栅极,所述第二MOS管的集电极接所述第三MOS管的集电极,所述第一MOS管的发射极接地,所述第一MOS管的集电极接所述第二MOS管的发射极,所述第三MOS管的发射极接移动电源输出接口,所述电感一端接电池端,另一端接第一MOS管的集电极。
可选的,升压时,所述升压控制电路控制第一MOS管以及第二MOS管开关切换,第一MOS管和第二MOS管形成升压直流转换电路,所述低压差线性稳压器控制电路控制第三MOS管处于开启状态。
可选的,降压时,所述升压控制电路控制第一MOS管常闭,第二MOS管常开,所述低压差线性稳压器控制电路控制第三MOS管降压。
一种快充移动电源,包括:
壳体;
电池,设置于所述壳体内;
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