[发明专利]闪存控制器、闪存控制器功能的调节方法及设备

说明书

本发明实施例公开了一种闪存控制器、闪存控制器功能的调节方法及设备。所述闪存控制器包括：数据统计模块，用于获取闪存的用户历史操作数据并对所述用户历史操作数据进行数据统计；功能调节模块，用于基于预设的调整模型根据所述数据统计的结果调节所述闪存控制器的控制功能。通过本发明的技术方案，能够自适应调节闪存控制器对闪存的控制功能，使闪存在不同的使用环境下均能达到最优性能。

技术领域

本发明实施例涉及闪存技术，尤其涉及一种闪存控制器、闪存控制器功能的调节方法及设备。

背景技术

闪存FLASH作为一种非易失性半导体存储器，受到各种电子设备的青睐，因此，设备对FLASH的性能要求也越来越高。

与非闪存NAND FLASH作为FLASH中的一种，在用户进行操作的时候，需要NANDFLASH控制器对其进行控制，从而完成用户操作，而现有技术中NAND FLASH控制器的控制功能在设计完成后就不再发生改变，以保证NAND FLASH具有普遍的适用性。但是，在不同的使用环境下对FLASH的性能要求也不尽相同，因而现有的FLASH控制器的控制功能无法使FLASH在不同的使用环境中都达到最优的性能。

发明内容

本发明实施例提供一种闪存控制器、闪存控制器功能的调节方法及设备，以实现自适应调节闪存控制器对闪存的控制功能，使闪存在不同的使用环境下均能达到最优性能。

第一方面，本发明实施例提供了一种闪存控制器，该闪存控制器包括：

数据统计模块，用于获取闪存的用户历史操作数据并对所述用户历史操作数据进行数据统计；

功能调节模块，用于基于预设的调整模型根据所述数据统计的结果调节所述闪存控制器的控制功能。

进一步的，所述用户历史操作数据包括：用户历史访问地址、用户历史操作频率以及单比特存储单元使用量中的至少一种数据。

进一步的，所述闪存控制器的控制功能包括：地址映射关系、垃圾回收策略以及区域划分策略中的至少一个功能。

进一步的，所述功能调节模块包括：

映射关系调节子模块，用于根据对用户历史访问地址的数据统计的结果调节地址映射关系；和/或，

回收策略调节子模块，用于根据对用户历史操作频率的数据统计的结果调节垃圾回收策略；和/或，

划分策略调节子模块，用于根据对单比特存储单元使用量的数据统计的结果调节区域划分策略。

进一步的，所述映射关系调节子模块具体用于：

若用户历史访问地址中对同一地址的操作次数超过预设次数阈值，则调节闪存转换层中逻辑地址与物理地址之间的映射关系。

进一步的，所述回收策略调节子模块具体用于：

若在预定时间内用户历史操作频率小于预设最低频率阈值，则降低垃圾回收频率；

若在预定时间内用户历史操作频率大于预设最高频率阈值，则提高垃圾回收频率。

进一步的，所述划分策略调节子模块具体用于：

若单比特存储单元使用量低于预设最低百分比阈值，则减小所述单比特存储单元的区域划分比例；

若单比特存储单元使用量超过预设最高百分比阈值，则增大所述单比特存储单元的区域划分比例。

第二方面，本发明实施例还提供了一种闪存控制器功能的调节方法，包括：

获取闪存的用户历史操作数据并对所述用户历史操作数据进行数据统计；

基于预设的调整模型根据所述数据统计的结果调节闪存控制器的控制功能。