[发明专利]静电放电保护元件

权利要求书

1.一种静电放电保护元件，其特征在于，该静电放电保护元件包括：

一基底，具有一第一导电型，其中该基底上具有一第一元件区、一第二元件区以及一设于该第一元件区与该第二元件区之间的隔离区；

一磊晶层，设于该基底上，且具有一不同于该第一导电型的第二导电型；

一第一内部掺杂区与一第二内部掺杂区，分别设于该第一元件区与该第二元件区内，且接近该基底与该磊晶层的接面，其中该第一内部掺杂区具有该第二导电型，且该第二内部掺杂区具有该第一导电型；

一第一顶部掺杂区与一第二顶部掺杂区，分别设于该第一元件区与该第二元件区内，且分别从该磊晶层的表面外露，其中该第一顶部掺杂区具有该第一导电型，且该第二顶部掺杂区具有该第二导电型；及

一导电层，电性连接该第一顶部掺杂区与该第二顶部掺杂区。

2.根据权利要求1所述的静电放电保护元件，其特征在于，该静电放电保护元件还包括一设于该基底与该磊晶层之间的缓冲层，该缓冲层具有该第二导电型，且该第一内部掺杂区与该第二内部掺杂区进一步向下延伸至该缓冲层中。

3.根据权利要求1所述的静电放电保护元件，其特征在于，该第一内部掺杂区与该第二内部掺杂区进一步水平延伸至该隔离区内。

4.根据权利要求3所述的静电放电保护元件，其特征在于，该静电放电保护元件还包括多个绝缘沟槽，至少一该绝缘沟槽设于该隔离区内，且从该磊晶层的表面向下延伸穿过该第一内部掺杂区与该第二内部掺杂区并延伸至该基底中，另一该绝缘沟槽设于该第一元件区内，且从该磊晶层的表面向下延伸穿过该第一内部掺杂区并延伸至该基底中，再一该绝缘沟槽设于该第二元件区内，且从该磊晶层的表面向下延伸穿过该第二内部掺杂区并延伸至该基底中。

5.根据权利要求4所述的静电放电保护元件，其特征在于，该第一内部掺杂区包括至少两个彼此分离的部分区段以及至少一个位于所述部分区段之间且相对于该第一顶部掺杂区的通道区段。

6.根据权利要求1所述的静电放电保护元件，其特征在于，该静电放电保护元件还包括一隔离层，该隔离层设于该磊晶层上，该导电层设于该隔离层上，并通过该隔离层接触该第一顶部掺杂区与该第二顶部掺杂区。

7.根据权利要求1所述的静电放电保护元件，其特征在于，该基底具有一介于0.001欧姆-公分与0.13欧姆-公分之间的电阻率，该磊晶层具有一介于14欧姆-公分与100欧姆-公分之间的电阻率，且具有一介于2微米与6微米之间的厚度。

8.根据权利要求1所述的静电放电保护元件，其特征在于，该第一内部掺杂区与该第二内部掺杂区的宽度介于0.5微米至10微米之间，且掺杂浓度介于1E12原子/立方公分至1E17原子/立方公分之间。

9.根据权利要求1所述的静电放电保护元件，其特征在于，该第一导电型为P型，且该第二导电型为N型。

10.根据权利要求1所述的静电放电保护元件，其特征在于，该第一导电型为N型，且该第二导电型为P型。