[发明专利]一种琉璃镶金的制作方法在审
申请号: | 201710609139.X | 申请日: | 2017-07-25 |
公开(公告)号: | CN107150547A | 公开(公告)日: | 2017-09-12 |
发明(设计)人: | 李建友 | 申请(专利权)人: | 太仓市双凤镇薄彩工艺品厂 |
主分类号: | B44C5/00 | 分类号: | B44C5/00;B44C3/04 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 琉璃 镶金 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种制作方法,尤其是一种用于制作琉璃镶金的方法。
背景技术
现有琉璃工艺品一般都是将水晶料烧结后制成的琉璃,此种琉璃过于普遍,千篇一律,没有新意,这样琉璃的工艺和市场等相关的只能保持在原来的水平上,没有创新也没有发展,这样不仅产生审美疲劳,而且也会影响消费者对琉璃工艺品购买的积极性。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷,提供一种新型的琉璃镶金的制作方法。
为解决上述技术问题,本发明提供一种琉璃镶金的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
第一步:画制图稿,并在图稿上画出要镶嵌金属的纹路、宽度和深度,并且镶嵌的凹槽内壁设计得凹凸不平,根据图稿雕塑立体模型;
第二步:在模型表面均匀涂抹硅胶,待硅胶凝固成硅胶模;
第三步:调制蜡浆,在硅胶阴模内灌入热融的蜡,待其自然冷切,将冷切后的蜡模自硅胶石膏模脱出,对拆模时留下的模线痕迹进行修整;
第四步:调制耐火石膏,脱蜡后得到耐火石膏阴模;
第五步:挑选水晶料;
第六步:将石膏模与配置好的水晶料放进电热炉加热烧结,取出琉璃粗胚让其自然冷却;
第七步:把包裹在琉璃外的耐火石膏模拆除,对琉璃粗胚进行修整、打磨、抛光;
第八步:然后将琉璃中要镶嵌的凹槽内壁清洗干净并干燥;
第九步:用设备将金属加热融化成液体;
第十步:然后通过带有尖端漏口并且可闭合的容器按照凹槽纹路倒入适量的金属液体,这时需要另一个工人拿着降温设备对着刚倒出的金属液体降温,使其凝固,若不能短时间凝固就减缓操作,直至全部纹路镶嵌结束;
第十一步:静置降温。
前述的一种琉璃镶金的制作方法,其特征在于,所述降温与导入金属液体同时操作。
前述的一种琉璃镶金的制作方法,其特征在于,所述降温设备采用制冷设备。
前述的一种琉璃镶金的制作方法,其特征在于,所述容器漏口大小与凹槽宽度相适。
前述的一种琉璃镶金的制作方法,其特征在于,对静置降温后的金属部分涂色。
前述的一种琉璃镶金的制作方法,其特征在于,所述降温设备的制冷温度为6-15度。
本发明所达到的有益效果:本发明采用直接导入金属液体,制作出来的金属部分比较圆润,没有任何毛糙的地方,而且凹槽内壁设计得凹凸不平可以让其与金属连接更加紧密,增加其耐用性,本方法技术创新,生产的琉璃制品也新颖,具有良好的市场前景。
具体实施方式
下面对本发明作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案,而不能以此来限制本发明的保护范围。
一种琉璃镶金的制作方法,包括以下步骤:
第一步:画制图稿,并在图稿上画出要镶嵌金属的纹路、宽度和深度,并且镶嵌的凹槽内壁设计得凹凸不平,根据图稿雕塑立体模型;
第二步:在模型表面均匀涂抹硅胶,待硅胶凝固成硅胶模;
第三步:调制蜡浆,在硅胶阴模内灌入热融的蜡,待其自然冷切,将冷切后的蜡模自硅胶石膏模脱出,对拆模时留下的模线痕迹进行修整;
第四步:调制耐火石膏,脱蜡后得到耐火石膏阴模;
第五步:挑选水晶料;
第六步:将石膏模与配置好的水晶料放进电热炉加热烧结,取出琉璃粗胚让其自然冷却;
第七步:把包裹在琉璃外的耐火石膏模拆除,对琉璃粗胚进行修整、打磨、抛光;
第八步:然后将琉璃中要镶嵌的凹槽内壁清洗干净并干燥;
第九步:用设备将金属加热融化成液体;
第十步:然后通过带有尖端漏口并且可闭合的容器按照凹槽纹路倒入适量的金属液体,这时需要另一个工人拿着降温设备对着刚倒出的金属液体降温,使其凝固,若不能短时间凝固就减缓操作,直至全部纹路镶嵌结束;
第十一步:静置降温。
优选,所述降温与导入金属液体同时操作。
优选,所述降温设备采用制冷设备。
优选,所述容器漏口大小与凹槽宽度相适。
优选,对静置降温后的金属部分涂色。
优选,所述降温设备的制冷温度为6-15度。
本发明采用直接导入金属液体,制作出来的金属部分比较圆润,没有任何毛糙的地方,而且凹槽内壁设计得凹凸不平可以让其与金属连接更加紧密,增加其耐用性,本方法技术创新,生产的琉璃制品也新颖,具有良好的市场前景。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和变形,这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。
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