[发明专利]测量系统

说明书

一种用于沿着z方向确定探测器的位置的测量系统具有：半导体本体，其具有上表面、下表面、至少一个连接触点和至少一个在z方向上敏感的磁场传感器；载体，其具有正面、背面和导电区域；用于产生磁场的磁体，其具有沿着第一面形成的第一磁极和垂直于第一面延伸的对称轴线，其中，在半导体本体的至少一个连接触点与载体的至少一个印制导线之间存在电作用连接，磁体的第一面平行于z方向布置，并且磁体的对称轴线垂直于z方向布置，探测器具有朝向磁场传感器的端面，该端面能够平行于z方向朝向磁场传感器的方向运动至少直至测量高度，磁场传感器相对于磁体的第一面具有第一间距并且相对于测量高度具有第二间距，并且第一间距是第二间距的60％和110％之间。

技术领域

本发明涉及一种用于沿着z方向确定探测器的位置的测量系统。

背景技术

由WO 2010/060607 A2公知了具有带集成电路和集成磁传感器的半导体芯片的集成电路壳体。永磁体与半导体芯片的壳体隔开间距，所述永磁体的磁流穿过传感器。如果待测量的对象接近半导体芯片的头侧的端部，则通过传感器的磁流密度改变。值得期望的是，改善耗费的布置及其敏感度。

由DE 10 2004 010 126 A1和US 7 250 760 B2公知了集成磁霍尔传感器，其中，分别一个永磁体与所述传感器一起布置在集成电路壳体中。在此，霍尔传感器这样相对于永磁体的场布置，以使得在无外部场影响的情况下产生霍尔电压。

由DE 698 27 559 T2公知了集成霍尔效应传感器单元，其中，霍尔传感器布置在金属载体上方，而永磁体布置在金属载体之下，该金属载体也称为引线框架。各个部件布置在一个唯一的集成电路壳体中。永磁体这样布置在集成电路壳体内部，以使得由永磁体产生的磁场垂直于集成霍尔传感器延伸。换句话说，磁场线基本上垂直于霍尔传感器的主延伸平面延伸并且在无外部场影响的情况下产生霍尔电压。在构造在集成电路壳体外部的铁磁性构件直接地布置在霍尔传感器的主延伸方向上方的情况下与在无铁磁性构件的情况下相比磁阻减小并且霍尔电压增大。

也由US 2006/0261801 A1以及DE 10 2011 121 298 A1和DE 10 2014 011 245B3公知了具有定位在传感器单元上的永磁体的集成霍尔效应传感器单元。不仅由DE 102011 121 298 A1而且由DE 10 2014 011 245 B3由附图不能得出探测器和传感器彼此的间距或延伸或可推导的几何关系，因为实施例是极其示意性的并且在这两个出版文献中明确地指出。

DE 10 2011 121 298 A1特别是提出形成磁体和传感器之间尽可能小的间距，以便实现传感器的区域中特别高的磁流密度并且由此实现测量的特别高的灵敏度。

DE 10 2011 121 298 A1也提出为了提高准确性而进行校准。根据DE 10 2011121 298 A1，借助于校准和在传感器的区域中特别高的磁通密度可能的是，所述探测器在相对于传感器具有大间距(即在特别小地靠近的情况下)时就已经被探测到。由此DE 102011 121 298 A1的任务在于，实现与探测器尽可能大的间距。

在DE 10 2014 011 245 B3中，借助于两个传感器进行差值测量。未公开指出的是探测器和接收器之间的测量间距的设计方案。

由US 2009/0140725公知了一种集成霍尔效应传感器，其包括至少部分地由注射成型磁性材料包围的传感器。

发明内容

在所述背景下，本发明的任务在于，提出一种扩展方案现有技术的装置。

按照本发明，提出了一种测量系统，其用于沿着z方向确定探测器的位置，所述测量系统具有：

-半导体本体，所述半导体本体具有上表面、下表面、至少两个连接触点和至少一个布置在所述上表面上的并且在z方向上敏感的磁场传感器，