[发明专利]测量系统

权利要求书

1.一种测量系统（10），其用于沿着z方向确定探测器（12）的位置，所述测量系统具有：-半导体本体（20），所述半导体本体具有上表面、下表面、至少两个连接触点（24）和至少一个布置在所述上表面上的并且在z方向上敏感的磁场传感器（22），-载体（40），所述载体具有正面、背面，其中，所述载体（40）包括多个导电的区域（42），或者所述载体（40）由多个导电的区域（42）构成，-用于产生磁场（34）的磁体（30），所述磁体具有沿着第一面（32）形成的第一磁极（P1）和垂直于所述第一面（32）延伸的对称轴线（S），其中，所述第一磁极（P1）在y-z平面中形成并且具有与所述第一磁极（P1）在x方向上隔开间距的第二磁极，并且所述对称轴线穿过所述第一面（32），-其中，在两个区域（42）和所述半导体本体（20）的所述至少两个连接触点（24）之间分别存在电作用连接，-其中，所述磁体（30）的第一面（32）平行于z方向布置，并且所述磁体（30）的对称轴线（S）垂直于z方向布置，-其中，所述探测器（12）具有朝向所述磁场传感器（22）的端面，-其中，所述探测器（12）的端面能够平行于z方向朝向所述磁场传感器（22）的方向运动至少直至一测量高度（H），-其中，所述磁场传感器（22）相对于所述磁体（30）的第一面（32）具有在所述对称轴线（S）的方向上形成的第一间距（A1），和-所述磁场传感器（22）相对于所述测量高度（H）具有第二间距（A2），其特征在于，-所述第一间距（A1）是所述第二间距（A2）的60%和160%之间。

2.根据权利要求1所述的测量系统（10），其特征在于，所述第一间距（A1）是所述第二间距（A2）的80%和110%之间。

3.根据权利要求1或2所述的测量系统（10），其特征在于，所述磁体（30）构造为立方体形或柱形。

4.根据权利要求1或2所述的测量系统（10），其特征在于，具有所述磁场传感器（22）的半导体本体（20）和所述磁体（30）布置在所述载体（40）的正面上，并且至少所述磁场传感器（22）由一封装材料（50）完全包围。

5.根据权利要求1或2所述的测量系统（10），其特征在于，具有所述磁场传感器（22）的半导体本体（20）构造为带壳体的集成电路或布线的带壳体的集成电路（26）。

6.根据权利要求1或2所述的测量系统（10），其特征在于，所述载体（40）的正面构造为平坦的面，具有所述磁场传感器（22）的半导体本体（20）和所述磁体（30）彼此相邻地布置在所述正面上。

7.根据权利要求1或2所述的测量系统（10），其特征在于，所述载体（40）的正面具有至少一个凹进部（44），其中，所述磁体（30）布置在所述凹进部（44）中。

8.根据权利要求1或2所述的测量系统（10），其特征在于，所述磁场传感器（22）构造为横向的霍尔板并且具有主延伸面，其中，该主延伸面平行于所述磁体（30）的对称轴线（S）延伸。

9.根据权利要求1或2所述的测量系统（10），其特征在于，所述磁场传感器（22）构造为竖直的霍尔板并且具有主延伸面，其中，该主延伸面垂直于所述磁体（30）的对称轴线（S）延伸。

10.根据权利要求1或2所述的测量系统（10），其特征在于，所述载体（40）除了具有所述磁场传感器（22）的半导体本体（20）以外也接收所述磁体（30），其中，所述磁体（30）至少部分地布置在所述载体（40）上方。

11.根据权利要求1或2所述的测量系统（10），其特征在于，所述对称轴线（S）穿过所述磁场传感器（30）并且在面重心穿过所述磁体（30）的第一面（32）。

12.根据权利要求1或2所述的测量系统（10），其特征在于，所述磁体（30）的第二面（33）在x方向上与所述第一面（32）隔开间距，并且这两个面彼此平行地构造。