[发明专利]一种深紫外LED

权利要求书

1.一种深紫外LED，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底表面的未掺杂的缓冲层；

位于所述未掺杂的缓冲层背离所述衬底表面的N型AlGaN层；

位于所述N型AlGaN层背离所述衬底表面的多量子阱结构；

位于所述多量子阱结构背离所述衬底表面的V型Al组分渐变的P型AlGaN结构，所述V型Al组分渐变的P型AlGaN结构采用极化掺杂，且其中所述V型Al组分渐变的P型AlGaN结构中的Al组分与所述多量子阱结构的Al组分不同；

位于所述V型Al组分渐变的P型AlGaN结构背离所述衬底表面的P型GaN层。

2.根据权利要求1所述的深紫外LED，其特征在于，所述V型Al组分渐变的P型AlGaN结构包括至少一层Al_0.65Ga_0.35N层和至少一层Al_xGa_1-xN层，所述Al_0.65Ga_0.35N层和所述Al_xGa_1-xN层交替叠加，其中，所述Al_0.65Ga_0.35N层生长在所述多量子阱结构的表面。

3.根据权利要求2所述的深紫外LED，其特征在于，所述Al_xGa_1-xN层中的x取值范围为：0.3≤x≤0.4。

4.根据权利要求3所述的深紫外LED，其特征在于，所述V型Al组分渐变的P型AlGaN结构中每层结构的厚度为12.22nm，共110nm。

5.根据权利要求4所述的深紫外LED，其特征在于，所述V型Al组分渐变的P型AlGaN结构的掺杂浓度为5×10¹⁷cm^-3，生长温度为990℃。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的深紫外LED，其特征在于，所述衬底为C面的蓝宝石衬底。

7.根据权利要求1-5任意一项所述的深紫外LED，其特征在于，所述未掺杂的缓冲层为未掺杂的Al_0.5Ga_0.5N缓冲层，厚度为1.5μm，生长温度为530℃，且所述未掺杂的Al_0.5Ga_0.5N缓冲层在1050℃恒温6分钟重结晶。

8.根据权利要求1-5任意一项所述的深紫外LED，其特征在于，所述N型AlGaN层为Al_0.5Ga_0.5N层，厚度为3.0μm，掺杂浓度为5×10¹⁸cm^-3，生长温度为1050℃。

9.根据权利要求1-5任意一项所述的深紫外LED，其特征在于，所述多量子阱结构为5个周期的Al_0.36Ga_0.64N层和Al_0.5Ga_0.5N层的叠加结构，其中，所述Al_0.36Ga_0.64N层生长在所述N型AlGaN层的表面。

10.根据权利要求9所述的深紫外LED，其特征在于，所述多量子阱结构的生长温度为1020℃，其中，每层所述Al_0.36Ga_0.64N层的厚度为10nm，每层所述Al_0.5Ga_0.5N层的厚度为3nm。