[发明专利]复合发光层、QLED器件及其制备方法在审
申请号: | 201710600114.3 | 申请日: | 2017-07-21 |
公开(公告)号: | CN109285954A | 公开(公告)日: | 2019-01-29 |
发明(设计)人: | 梁柱荣;曹蔚然;刘佳 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56;H01L51/54 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 黄志云 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 量子点 复合发光层 泡沫骨架 石墨烯 成膜过程 发光均匀性 发光均匀 发光效率 疏松多孔 发光层 功能层 固定的 掉落 成膜 制备 | ||
1.一种复合发光层,其特征在于,所述复合发光层为石墨烯泡沫骨架固定的量子点发光层,包括石墨烯泡沫骨架和固定在所述石墨烯泡沫骨架中的量子点。
2.如权利要求1所述的复合发光层,其特征在于,所述石墨烯泡沫骨架的比表面积为10~300m2/g。
3.如权利要求1或2所述的复合发光层,其特征在于,所述石墨烯泡沫骨架表面含有活性官能团。
4.如权利要求3所述的复合发光层,其特征在于,所述活性官能团为-OH、-COOH、-NH2、-NH-、-NHCONH-、-SH、-CN、-SO3H、-SOOH、-NO2、-CONH2、-CONH-、-COCl、-CO-、-O-、-COS-、-CH=N-、O=P(R)2、-CHO、-Cl、-Br中的至少一种。
5.一种QLED器件,其特征在于,包括依次层叠结合在衬底上的底电极、第一功能层、发光层、第二功能层和顶电极,其中,所述发光层为权利要求1-4任一项所述的复合发光层。
6.如权利要求5所述的QLED器件,其特征在于,所述底电极为阳极,所述顶电极为阴极,所述第一功能层为依次层叠结合在所述阳极上的空穴注入层和空穴传输层,所述第二功能层为层叠结合在所述发光层上的电子注入/传输层。
7.如权利要求5所述的QLED器件,其特征在于,所述底电极为阴极,所述顶电极为阳极,所述第一功能层为层叠结合在所述阴极上的电子注入/传输层,所述第二功能层为依次层叠结合在所述发光层上的空穴传输层和空穴注入层。
8.一种QLED器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供金属泡沫模板骨架,在所述金属泡沫模板骨架上附着生长石墨烯,得到石墨烯/金属泡沫骨架;
将所述石墨烯/金属泡沫骨架浸泡在刻蚀液中,刻蚀去除金属泡沫模板,得到石墨烯泡沫骨架;
提供衬底,在所述衬底上依次沉积底电极、第一功能层,在所述第一功能层上沉积所述石墨烯泡沫骨架,在所述石墨烯泡沫骨架上沉积量子点形成复合发光层,在所述复合发光层上依次沉积第二功能层和顶电极,
其中,所述底电极为阳极,所述顶电极为阴极,所述第一功能层为依次层叠结合在所述阳极上的空穴注入层和空穴传输层,所述第二功能层为层叠结合在所述发光层上的电子注入/传输层;或
所述底电极为阴极,所述顶电极为阳极,所述第一功能层为层叠结合在所述阴极上的电子注入/传输层,所述第二功能层为依次层叠结合在所述发光层上的空穴传输层和空穴注入层。
9.如权利要求8所述的QLED器件的制备方法,其特征在于,在刻蚀去除金属泡沫模板的同时过程中、或刻蚀得到石墨烯泡沫骨架后,还包括在所述石墨烯泡沫骨架表面引入活性官能团。
10.如权利要求9所述的QLED器件的制备方法,其特征在于,所述活性官能团为-OH、-COOH、-NH2、-NH-、-NHCONH-、-SH、-CN、-SO3H、-SOOH、-NO2、-CONH2、-CONH-、-COCl、-CO-、-O-、-COS-、-CH=N-、O=P(R)2、-CHO、-Cl、-Br中的至少一种。
11.如权利要求8所述的QLED器件的制备方法,其特征在于,所述刻蚀液为酸性溶液,包括酸溶液、金属盐溶液、酸溶液和金属盐溶液组成的混合溶液,其中,所述金属盐溶液中的金属盐为水解后呈酸性的金属盐。
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