[发明专利]一种LED器件

权利要求书

1.一种LED器件，包括支架，所述支架设有凹槽，所述凹槽表面设有光反射层，所述凹槽底部设置有LED芯片，所述凹槽内部填充有覆盖所述LED芯片的封装胶层，其特征在于，所述封装胶层表面设有隔离层，所述隔离层用于阻隔所述封装胶层和所述光反射层与外界气体相接触，所述隔离层与所述封装胶层的厚度比例为0.001％～50％。

2.如权利要求1所述的LED器件，其特征在于，所述隔离层与所述封装胶层的厚度比例为0.002％～25％。

3.如权利要求1所述的LED器件，其特征在于，所述隔离层的厚度为1nm～500000nm。

4.如权利要求3所述的LED器件，其特征在于，所述隔离层的厚度为6nm～200000nm。

5.如权利要求1所述的LED器件，其特征在于，所述封装胶层的厚度为100000nm～1000000nm。

6.如权利要求5所述的LED器件，其特征在于，所述封装胶层的厚度为300000nm～800000nm。

7.如权利要求1所述的LED器件，其特征在于，所述隔离层向所述支架上表面及外侧延伸，使所述封装胶层与所述支架之间无间隙。

8.如权利要求1所述的LED器件，其特征在于，所述LED器件硫化后的光通维持率＞80％。

9.如权利要求1所述的LED器件，其特征在于，所述隔离层包含聚合物，所述聚合物的分子式为(R₃SiO_1/2)_a(RSiO_3/2)_b(R₂SiO_2/2)_c(M_fN_g)_d(XO_1/2)_e；

在所述聚合物的分子式中:

各个R独立地选自脂肪族有机基团或芳基，X包含氢原子，M包含硅或金属元素，N包含氧元素或氮元素，a为0或正数，b为0或正数，c为0或正数，d是正数，e为0或正数，1≤f≤3，1≤g≤4，50％≤d/(a+b+c+d+e)≤99％。

10.如权利要求9所述的LED器件，其特征在于，所述聚合物的分子式为(R₃SiO_1/2)_a(RSiO_3/2)_b(R₂SiO_2/2)_c(SiO₂)_d(HO_1/2)_e；

在所述聚合物的分子式中:

各个R独立地选自脂肪族有机基团或芳基，1≤a≤8，7≤b≤19，4≤c≤20，40≤d≤100，0≤e≤8，50％≤d/(a+b+c+d+e)≤99％。

11.如权利要求9所述的LED器件，其特征在于，所述聚合物中60％≤d/(a+b+c+d+e)≤90％。

12.如权利要求1-11任意一项所述的LED器件，其特征在于，所述聚合物中0≤e/(a+b+c+d+e)≤5％。

13.如权利要求12所述的LED器件，其特征在于，所述隔离层通过喷涂、点涂、滴涂、浸涂、CVD、ALD或PVD的方式涂覆在所述封装胶层的表面。