[发明专利]一种陶瓷表面的镀膜方法

说明书

本发明公开了一种陶瓷表面的镀膜方法，该方法包括等离子清洗基材表面；在所述基材表面制备氧化铝膜层，形成过渡层；在所述过渡层的表面制备氮化硅膜层，形成硬度层；在所述硬度层的表面制备氧化硅膜层，形成结合层；在所述结合层的表面蒸镀氟化物。通过该方法制备的膜层能增加陶瓷材料表面与膜层的结合力、提高表面硬度及耐磨系数，并使表面具有疏水性和防指纹效果。

技术领域

本发明涉及真空镀膜领域，尤其涉及一种陶瓷表面的镀膜方法。

背景技术

现有陶瓷材料表面处理镀制技术，膜层与基材结合力产生阻隔，表面硬度、光滑镀、耐磨系数等性能达不到需求。

因此，上述技术问题需要解决。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明提出一种陶瓷表面的镀膜方法，增加陶瓷材料表面与膜层的结合力、提高表面硬度及耐磨系数。

为了解决上述的技术问题，本发明提出的基本技术方案为：

一种陶瓷表面的镀膜方法，包括以下步骤：

S1，等离子清洗基材表面；

S2，在所述基材表面制备氧化铝膜层，形成过渡层；

S3，在所述过渡层的表面制备氮化硅膜层，形成硬度层；

S4，在所述硬度层的表面制备氧化硅膜层，形成结合层；

S5，在所述结合层的表面蒸镀氟化物。

其中，在所述步骤S1之前，还包括：

在真空镀膜机上装好氟化物；

清洁基材表面；

将清洁好的基材装进所述真空镀膜机；

所述真空镀膜机通过抽气系统抽至真空。

其中，在所述步骤S5之后，还包括：

对所述真空镀膜机进行降温冷却；

对所述真空镀膜机充入大气，取出产品。

其中，所述硬度层的膜材还包括碳化硅、氮化钛或氮碳化钛。

其中，所述真空镀膜机通过抽气系统抽至真空后的真空度为5.0*10^-3pa。

其中，所述步骤S1具体为：

所述真空镀膜机的真空度达到7.5*10^-3pa时，对所述基材表面进行离子轰击；充入流量为30sccm的中频氩气、流量为50sccm的离子源，所述离子源的电源电压为600V，工作压强为2.9*10^-1pa，时间持续五分钟。

其中，所述步骤S2包括：

在真空镀膜机的真空度达到4.0*10^-3pa时，在所述基材表面镀氧化铝，充入流量为30sccm的中频氩气、流量为25sccm的离子源，流量为80sccm的中频氧气，所述中频电源的电流为30A，工作压强为4.5*10^-1pa，持续时间六分钟。

其中，所述步骤S3包括：

在所述过渡层的表面镀氮化硅，充入流量为35sccm的中频氩气，流量为30sccm的离子源，流量为90sccm的中频氮气，所述中频电源的电流为24A，的工作压强为4.9*10^-1pa，持续时间三分钟。

其中，所述步骤S4包括：