[发明专利]一种陶瓷表面的镀膜方法在审
| 申请号： | 201710595706.0 | 申请日： | 2017-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN109279917A | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 王伟;张扬;常杰;林立根 | 申请（专利权）人： | 深圳市一诺真空科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/89 | 分类号： | C04B41/89 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面制备 基材表面 陶瓷表面 过渡层 结合层 硬度层 镀膜 膜层 制备 陶瓷材料表面 氮化硅膜层 等离子清洗 氧化硅膜层 氧化铝膜层 表面硬度 耐磨系数 氟化物 结合力 疏水性 蒸镀 指纹 | ||
1.一种陶瓷表面的镀膜方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，等离子清洗基材表面；
S2，在所述基材表面制备氧化铝膜层，形成过渡层；
S3，在所述过渡层的表面制备氮化硅膜层，形成硬度层；
S4，在所述硬度层的表面制备氧化硅膜层，形成结合层；
S5，在所述结合层的表面蒸镀氟化物。
2.根据权利要求1所述的陶瓷表面的镀膜方法，其特征在于，在所述步骤S1之前，还包括：
在真空镀膜机上装好氟化物；
清洁基材表面；
将清洁好的基材装进所述真空镀膜机；
所述真空镀膜机通过抽气系统抽至真空。
3.根据权利要求1所述的陶瓷表面的镀膜方法，其特征在于，在所述步骤S5之后，还包括：
对所述真空镀膜机进行降温冷却；
对所述真空镀膜机充入大气，取出产品。
4.根据权利要求1所述的陶瓷表面的镀膜方法，其特征在于，所述硬度层的膜材还包括碳化硅、氮化钛或氮碳化钛。
5.根据权利要求2所述的陶瓷表面的镀膜方法，其特征在于，所述真空镀膜机通过抽气系统抽至真空后的真空度为5.0*10-3pa。
6.根据权利要求1所述的陶瓷表面的镀膜方法，其特征在于，所述步骤S1具体为：
所述真空镀膜机的真空度达到7.5*10-3pa时，对所述基材表面进行离子轰击；充入流量为30sccm的中频氩气、流量为50sccm的离子源，所述离子源的电源电压为600V，工作压强为2.9*10-1pa，时间持续五分钟。
7.根据权利要求1所述的陶瓷表面的镀膜方法，其特征在于，所述步骤S2包括：
在真空镀膜机的真空度达到4.0*10-3pa时，在所述基材表面镀氧化铝，充入流量为30sccm的中频氩气、流量为25sccm的离子源，流量为80sccm的中频氧气，所述中频电源的电流为30A，工作压强为4.5*10-1pa，持续时间六分钟。
8.根据权利要求1所述的陶瓷表面的镀膜方法，其特征在于，所述步骤S3包括：
在所述过渡层的表面镀氮化硅，充入流量为35sccm的中频氩气，流量为30sccm的离子源，流量为90sccm的中频氮气，所述中频电源的电流为24A，的工作压强为4.9*10-1pa，持续时间三分钟。
9.根据权利要求1所述的陶瓷表面的镀膜方法，其特征在于，所述步骤S4包括：
在所述硬度层的表面镀氧化硅，充入流量为30sccm的中频氩气，流量为25sccm的离子源，流量为40sccm的中频氧气，所述中频电源的电流为10A，工作压强为2.9*10-1pa，持续时间三分钟。
10.根据权利要求1所述的陶瓷表面的镀膜方法，其特征在于，所述步骤S5包括：
在真空镀膜机的真空度达到4.5*10-3pa时，在所述结合层的表面镀氟化物，工作电压为2.8V，持续时间六分钟。
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