[发明专利]一种测试标片制作方法及测试标片在审
| 申请号： | 201710594645.6 | 申请日： | 2017-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN109285895A | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 王雪亮;胡冰峰;罗茂盛 | 申请（专利权）人： | 奥特斯维能源（太仓）有限公司;太仓海润太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 215434 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 测试 细栅 印刷 二次烧结 正面印刷 主栅 背面 制作 晶体硅太阳能电池 使用寿命 外界氧气 延长测试 一次烧结 烧结 背场 背极 刻蚀 制绒 磨损 衰减 扩散 制造 | ||
1.一种测试标片制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤A：对硅片(1)的双面进行制绒；
步骤B：对步骤A处理后的硅片(1)的正面进行扩散；
步骤C：对步骤B处理后的硅片(1)的双面进行边缘刻蚀；
步骤D：在步骤C处理后的硅片(1)的正面印刷细栅(1)；
步骤E：对步骤D处理后的硅片(1)进行一次烧结；
步骤F：对步骤E处理后的硅片(1)的正面镀减反膜(2)；
步骤G：在步骤F处理后的硅片(1)的背面印刷背极；
步骤H：在步骤G处理后的硅片(1)的背面印刷背场；
步骤I：在步骤H处理后的硅片(1)的正面印刷主栅(3)；
步骤J：对步骤I处理后的硅片(1)进行二次烧结。
2.根据权利要求1所述的测试标片制作方法，其特征在于，步骤D中印刷所述细栅(1)的浆料为非烧穿型浆料。
3.根据权利要求1所述的测试标片制作方法，其特征在于，步骤D在印刷所述细栅(1)的同时还印刷定位点(5)，所述定位点(5)用于印刷所述主栅(3)时的定位。
4.根据权利要求1所述的测试标片制作方法，其特征在于，步骤D中印刷的所述细栅(1)为多条，多条所述细栅(1)平行设置。
5.根据权利要求1～4任一项所述的测试标片制作方法，其特征在于，步骤I中印刷的所述主栅(3)与步骤D中印刷的所述细栅(1)相垂直。
6.根据权利要求1～4任一项所述的测试标片制作方法，其特征在于，步骤I中印刷所述主栅(3)的浆料为烧穿型浆料。
7.根据权利要求1～4任一项所述的测试标片制作方法，其特征在于，步骤F中的所述减反膜(2)为氮化硅的薄膜。
8.一种测试标片，其特征在于，应用如权利要求1～7任一项所述的测试标片制作方法制成。
9.根据权利要求8所述的测试标片，其特征在于，包括硅片(4)，所述硅片(4)的正面由下至上依次设置有细栅(1)、减反膜(2)以及主栅(3)，所述细栅(1)与所述主栅(3)相连接。
10.根据权利要求8所述的测试标片，其特征在于，所述细栅(1)的外部包裹有减反膜(2)，所述细栅(1)与所述主栅(3)接触处无减反膜(2)，实现所述细栅(1)与所述主栅(3)的连接。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
