[发明专利]阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板及显示装置在审
申请号: | 201710585984.8 | 申请日: | 2017-07-18 |
公开(公告)号: | CN107403879A | 公开(公告)日: | 2017-11-28 |
发明(设计)人: | 王磊;邹建华;徐苗;陶洪;彭俊彪 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 510641 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板的制备方法,所述阵列基板包括多个像素单元,所述像素单元包括红色子像素单元、绿色子像素单元和蓝色子像素单元,其特征在于,包括:
提供衬底;
在所述衬底上的所述红色子像素单元、所述绿色子像素单元和所述蓝色子像素单元中形成相互分离的第一电极;
在所述红色子像素单元中的所述第一电极远离所述衬底一侧的表面形成光学调节层;
在所述红色子像素单元、所述绿色子像素单元和所述蓝色子像素单元之间形成像素定义层;
采用第一掩膜板在全部像素单元中的所述第一电极远离所述衬底的一侧形成蓝色发光层,其中,所述第一掩膜板的开口覆盖全部像素单元;
采用第二掩膜板在所述红色子像素单元和所述绿色子像素单元中的所述第一电极远离所述衬底的一侧形成黄色发光层,其中,所述第二掩膜板中的每个开口覆盖对应像素单元的红色子像素单元和绿色子像素单元;
形成覆盖所述蓝色发光层以及所述黄色发光层的第二电极。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述第一电极为阳极,所述第二电极为阴极,所述阳极作为反射电极。
3.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,还包括:
采用所述第二掩膜板在所述蓝色发光层和所述黄色发光层之间形成间隔层。
4.根据权利要求3所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,在形成覆盖所述蓝色发光层以及所述黄色发光层的第二电极之前,还包括:
采用第三掩膜板依次形成覆盖所述蓝色发光层以及所述黄色发光层的电子传输层和电子注入层的叠层结构,其中,所述第三掩膜板的开口覆盖全部像素单元。
5.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述蓝色发光层包括空穴型发光材料;在形成所述蓝色发光层之后形成所述黄色发光层。
6.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述蓝色发光层包括电子型发光材料;在形成所述黄色发光层之后形成所述蓝色发光层。
7.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述光学调节层、所述蓝色发光层、所述黄色发光层及间隔层和所述电子传输层及电子注入层的叠层结构的厚度满足如下关系:
其中,B为所述蓝色发光层的厚度,H为所述所述电子传输层及电子注入层的叠层结构的厚度,Y为所述黄色发光层及间隔层的厚度,R为所述光学调节层的厚度;λb为蓝光中心波长,λg为绿光中心波长,λr为红光中心波长;θb为蓝光在所述第一电极和所述第二电极表面的反射相移之和,θg为绿光在所述第一电极和所述第二电极表面的反射相移之和,θr为红光在所述第一电极和所述第二电极表面的反射相移之和;m为模数;nb为所述蓝色发光层的平均折射率,ng为所述黄色发光层及间隔层的平均折射率,nr为所述光学调节层的折射率。
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