[发明专利]针对高速环境下OFDM系统频偏的测量方法及用途、测量装置在审

专利信息
申请号: 201710582783.2 申请日: 2017-07-17
公开(公告)号: CN107623650A 公开(公告)日: 2018-01-23
发明(设计)人: 熊军;郭晓峰;夏传荣;王立新 申请(专利权)人: 西安宇飞电子技术有限公司
主分类号: H04L27/00 分类号: H04L27/00;H04L27/26
代理公司: 北京力量专利代理事务所(特殊普通合伙)11504 代理人: 宋林清
地址: 710075 陕西省西安市高新区锦业*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 针对 高速 环境 ofdm 系统 测量方法 用途 测量 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及通信技术领域,尤其涉及针对高速环境下OFDM系统频偏的测量方法及用途、测量装置。

背景技术

OFDM(Orthogonal Frequency Division Multiplexing)即正交频分复用技术,实际上OFDM是MCM(Multi Carrier Modulation),多载波调制的一种。OFDM 的基本原理是将高速的数据流分解为N个并行的低速数据流,在N个子载波上同时进行传输。

频率偏移估计,简称频偏估计。频率偏移是由收发设备的本地载频之间的偏差、信道的多普勒频移等引起的,由子载波间隔的整数倍偏移和子载波间隔的小数倍偏移构成。子载波间隔的整数倍不会引起ICI,抽样点仍在定点,但是解调出来的信息符号的错误概率为50%,子载波间隔的小数倍的偏移由于抽样点不在顶点,破坏了子载波之间的正交性由此引起了ICI。Moose给出ICI 和AWGN情况下有效信噪比的下界,

如果要获得有效信噪比是30dB或更高,则频率偏移相对于子载波间隔的归一化值|ε|≤1.3×10-2,这说明即使很小的频率偏移也会带来较大的性能损失。测量模块中的频偏估计是在小区初搜之后对频偏的校准过程,在小区初搜过程中,对晶振和多普勒扩展引入的大范围频偏进行了校准,在小区初搜完成之后,可以将频偏控制在1KHZ内;在测量模块中继续进行频偏校准,以保证UE的频偏始终控制在1KHZ内。

频偏会引起OFDM各个子载波之间干扰,减小有效信号功率,所以必须将系统的频偏限制在允许的范围内。频偏的产生主要有晶阵振荡漂移和多普勒频偏构成。根据目前器件特性,晶阵频偏在3ppm左右,在载频为2G的时候约为6KHz;多普勒频移可以根据UE移动速度计算,在350Km/h时,最大多普勒频移是648Hz。可见,其中晶阵频移是主要的因素。但是如果是高速运动的飞行器,存在猛烈的上升或者下降达到3500Km/h时,最大多普勒频移是 6.48KHz。

小区初搜算法的粗调入口是5KHz,精调目标是0.1ppm,为200Hz。对于 OFDM系统,也可以认为晶阵频偏是在6KHz左右,而OFDM系统的频偏调整目标要通过下面的分析和仿真来确定。

频率偏移对系统性能影响作的分析:

由于载波频率偏差Δfc破坏了各载波之间的正交性,使得信号的幅度也发生了变化,带来了信噪比的下降。

设原信噪比为Es/N0,带有频偏的信噪比推导为:

则频偏信噪比为

可以计算信噪比的损失为:

曲线如图1所示:在N=128,fs=1.92M的情况下,当Es/N0=25dB时,频偏系数NΔfcTs=0.01,即时,信噪比损失为0.43dB。可以认为,频偏调整的目标为Δfc≤0.01·ΔF。

在现有技术中,粗频偏的计算步骤,包括:第一步,计算同步序列前后两段的共轭相关值,同步序列前后两段的共轭相关值按照以下公式计算:

其中,r1(k)为接收的同步序列前段,r2(k)为接收的同步序列后段,接收信号r=[r1,r2],Δf为频偏,L为时间间隔,Ts为采样时间;和第二步,根据共轭相关值R计算粗频偏

然而,以上现有技术计算的粗频偏不准确。

因此,需要针对高速环境下OFDM系统频偏的测量方法及用途、测量装置,其提供准确的粗频偏,并通过信噪比判断是否满足继续进行频偏测量的依据,极大地增强了目标频偏的准确性。

发明内容

根据本发明的一个方面,本发明提供的针对高速环境下OFDM系统频偏的测量方法,其特征在于,包括以下步骤:S110,接收同步信号;S120,根据同步信号的相邻两段序列的相位差计算粗频偏Δfcoarse;S130,获取导频,导频变换到时域,以获取当前的信噪比;S140,信噪比大于门限;S150,获取常规时隙下多个符号的导频,并通过多个符号的导频重复相关进行精频偏Δfoffset的测量;S160,计算目标频偏Δfall=Δfcoarse+Δfoffset

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安宇飞电子技术有限公司,未经西安宇飞电子技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710582783.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top