[发明专利]一种半导体激光器芯片的芯片级眼图测试方法和测试装置有效
申请号: | 201710581202.3 | 申请日: | 2017-07-17 |
公开(公告)号: | CN107493131B | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 钟行;岳爱文;刘应军;胡艳;李晶;曾笔鉴 | 申请(专利权)人: | 武汉电信器件有限公司 |
主分类号: | H04B10/073 | 分类号: | H04B10/073 |
代理公司: | 深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙) 44341 | 代理人: | 何婷 |
地址: | 430074 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体激光器 芯片 芯片级 测试 方法 装置 | ||
1.一种半导体激光器芯片的芯片级眼图测试装置,其特征在于,包括电源、误码仪、射频放大器、可调衰减器、偏置器、射频探针、激光器芯片、光探针、带真空泵的激光芯片固定台、光分路器、光功率计和示波器,所述电源用于给各设备提供工作电压,具体的:
所述误码仪的输出端连接所述射频放大器,所述射频放大器的输出端在连接所述可调衰减器后串联到偏置器;
所述偏置器为三端口器件,包括一个直流偏置口,一个射频输入口及一个射频输出口;其中,所述偏置器的射频输出口连接所述射频探针,用于在所述带真空泵的激光芯片固定台固定好激光器芯片后,偏置器的射频输出口通过所述射频探针与所述激光器芯片的信号电极接触;所述偏置器的射频输入口与所述可调衰减器相连;所述偏置器的直流偏置口与电源相连;
所述光探针与固定在所述带真空泵的激光芯片固定台上的激光器芯片的出光口耦合,所述光探针的另一端连接所述光分路器;
所述光分路器的两路分光输出端口分别连接所述光功率计和示波器。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器芯片的芯片级眼图测试装置,其特征在于,连接上述各单元器件的为高速射频线缆,带宽为50GHz;其中偏置器的带宽为50GHz;射频放大器带宽32GHz,可调电衰减器带宽32GHz,误码仪和示波器支持32Gb/s速率。
3.根据权利要求1或2所述的半导体激光器芯片的芯片级眼图测试装置,其特征在于,所述偏置器用于实现射频信号与直流信号混频的功能,并将其通过射频输出口输出给激光器芯片;
偏置器的直流偏置口连接电源,所述电源为激光器芯片提供直流偏置;其中,所述电源为电流源;
经过射频放大器和可调衰减器的信号通道连接到偏置器的射频输入口;
其中,偏置器的射频输出口输出的信号是激光器芯片工作所需要的直流偏置信号以及射频信号的混频信号。
4.根据权利要求1或2所述的半导体激光器芯片的芯片级眼图测试装置,其特征在于,可调衰减器通过对衰减器外加电压信号的调整,实现不同的衰减幅度,具体为:
对来自射频放大器输出的信号进行线性衰减,从而使得从可调衰减器输出信号的消光比满足预设要求。
5.根据权利要求1或2所述的半导体激光器芯片的芯片级眼图测试装置,其特征在于,在激光器芯片的特征电阻为10Ω,并且射频探针的特征阻抗为50Ω时,则所述装置还包括过渡块,所述过渡块的传输阻抗为40Ω,具体的:
所述激光器芯片贴合在过渡块上的指定位置,并且,所述过渡块被真空泵吸附而固定在激光芯片固定台上;
所述过渡块的金属表面与激光器芯片的N极电气导通;
射频探针分别接触激光器芯片的P型电极与过渡块上的指定位置,实现阻抗匹配以及对激光器芯片信号的输入。
6.根据权利要求1或2所述的半导体激光器芯片的芯片级眼图测试装置,其特征在于,所述射频放大器具体采用TEKTRONIX的PSPL5882或者PSPL5865;所述可调电衰减器具体采用PMI的DTA-18G40G-30-CD-2型号;所述偏置器具体采用AGILENT的11612B;所述误码仪具体采用安立1800A;所述示波器具体采用泰克的DSA8300;电流源具体采用吉时利2400;电压源具体采用安捷伦E3649A。
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