[发明专利]一种控制蓝宝石晶片抛光TTV/LTV的方法及装置

说明书

技术领域

本发明涉及材料加工技术领域，尤其涉及一种控制蓝宝石晶片抛光TTV/LTV的方法。

背景技术

目前蓝宝石衬底单面抛光主要目的：1、去除表面残留划痕，2、保持TTV/LTV一致性及稳定性，蓝宝石衬底单面抛光的过程是化学机械抛光原理，由于为了效率及产品相对稳定性，抛光过程多采用高压力，高温度加工方式进行，此方案去除速率可以有效的提高，快速的去除残留划痕；由于高速的腐蚀去除，相对于晶片本身质量晶片边缘TTV/LTV破坏相对严重。

以现有蓝宝石晶片抛光为例，由于晶片边缘5mm位置，TTV/LTV数值相对于晶片中心区域平整度较差，通常晶片中心区域TTV均值达到2.0um左右，LTV均值达到1.0um左右，此数值可以满足客户最大利用率水准。但是由于晶片边缘TTV均值/LTV均值略差于中心区域。客户不能完全利用，造成成本的浪费。

发明内容

针对上述现有技术存在的不足，本发明提供了一种控制蓝宝石晶片抛光TTV/LTV的方法，对盘面实施边缘修整，将盘面边缘按晶片不良尺寸进行计算修低，使晶片在加工过程中，边缘磨损相对较低，从而保证较高去除速率同时，保证晶片TTV/LTV质量的稳定性，解决了现有技术中存在的不足。

本发明是通过以下技术方案来实现的：一种控制蓝宝石晶片抛光TTV/LTV的方法及装置，其具体控制步骤包括：

步骤一，首先通过现有设备对蓝宝石晶片进行抛光；

步骤二，对抛光后的蓝宝石晶片进行测绘；

步骤三，通过测绘分析得出蓝宝石晶片边缘TTV/LTV偏高的区域；

步骤四，根据对蓝宝石晶片边缘TTV/LTV数值的分析结合晶片最大利用率原则对抛光盘面进行修整；

步骤五，用调整后的抛光盘面对蓝宝石晶片进行抛光，测量抛光后蓝宝石晶片的TTV/LTV。

进一步的，对蓝宝石晶片进行单面抛光，抛光采用高温、高压的加工方式。

进一步的，对晶片边缘产生不良位置处进行测绘。

一种控制蓝宝石晶片抛光TTV/LTV的装置，包括压力气缸、抛光盘面、转动主轴，驱动装置和基座，驱动装置设置于基座内，转动主轴与驱动装置连接，抛光盘面与转动主轴连接，压力气缸位于抛光盘面上方，蓝宝石晶片位于抛光盘面和压力气缸之间，所述抛光盘面与蓝宝石晶片在水平面上的投影位置不完全重合；

进一步的，所述抛光盘面与蓝宝石晶片不完全接触。

本发明的有益效果：

本发明提供了一种控制蓝宝石晶片抛光TTV/LTV的方法及装置，对盘面实施边缘修整，将盘面边缘按晶片不良尺寸进行计算修低，使晶片在加工过程中，边缘磨损相对较低，从而保证较高去除速率同时，保证晶片TTV/LTV质量的稳定性，通过本发明所采用的实施方案，有效的控制了晶片边缘的TTV/LTV，从而提高了蓝宝石晶片整体平整度，大大增加了晶片利用率。

附图说明

图1为本发明的方法流程图；

图2是本发明的结构示意图。

图中：1、压力气缸，2、晶片，3、抛光盘面，4、转动主轴，5、驱动装置，6、基座。

具体实施方式

下面结合附图对本发明进一步说明，需要说明的是，本实施例是描述性的，不是限定性的，不能由此限定本发明的保护范围。

如图1、图2所示，一种控制蓝宝石晶片抛光TTV/LTV的方法及装置，包括压力气缸1、抛光盘面3、转动主轴4，驱动装置5和基座6，驱动装置设置于基座内，转动主轴与驱动装置连接，抛光盘面与转动主轴连接，压力气缸位于抛光盘面上方，蓝宝石晶片2位于抛光盘面和压力气缸之间，所述抛光盘面与蓝宝石晶片在水平面上的投影位置不完全重合；具体控制方法的步骤包括：

步骤一，首先通过现有设备(为市场上的现有设备，在此具体型号不明确指出)对蓝宝石晶片进行抛光；

步骤二，对抛光后的蓝宝石晶片进行测绘；

步骤三，通过测绘分析得出蓝宝石晶片边缘TTV/LTV不符合要求的区域；

步骤四，根据对蓝宝石晶片边缘TTV/LTV数值的分析结合晶片最大利用率原则对抛光盘面进行修整；

步骤五，用调整后的抛光盘面对蓝宝石晶片进行抛光，测量抛光后蓝宝石晶片的TTV/LTV。

进一步的，对蓝宝石晶片进行单面抛光，抛光采用高温、高压的加工方式。

进一步的，所述抛光盘面与蓝宝石晶片不完全接触。