[发明专利]一种用于聚焦离子束机台提取样品的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造领域，且特别涉及一种用于聚焦离子束机台提取样品的方法。

背景技术

随着半导体技术的进一步发展，半导体工厂基于效率和降低成本的考虑，对制程当中出现的缺陷需要在短时间内做出判断，确定原因，从而及时恢复生产减小损失。FIB机台是利用聚焦离子束对样品进行微切割来达到对掩埋在样品表面的

缺陷进行分析的有效的手段之一。FIB机台的使用大大提高了缺陷分析的时效性，是现在半导体工厂不可缺少的分析工具。

欧姆尼探针是FIB机台中制备TEM样品时提取样品的不可或缺的工具。在制备样品时需要使用沉积钨将样品薄片粘连到欧姆尼探针，然后通过欧姆尼探针将样品转移到样品载体上。样品需要通过离子束切断的方法将样品和欧姆尼探针分离，在切断的过程中会有样品或沉积钨的残留，这些残留会影响后续的欧姆尼探针的使用，需要使用离子束对欧姆尼探针进行修针处理将残留物去除。

请参考图1，图1所示为现有技术中欧姆尼探针与样品切断示意图。现有的欧姆尼探针在修针的过程中是有较多不可取之处：1、残留在探针表面的样品或钨沉积不能很均匀的被去除掉；2、为了更好的修整欧姆尼探针，就会过度损耗该探针，从而减少欧姆尼探针的使用寿命。

发明内容

本发明提出一种用于聚焦离子束机台提取样品的方法，利用样品和样品之间的连接和切断来提取新的样品，从而避免欧姆尼探针的损耗并延长欧姆尼探针的使用寿命。

为了达到上述目的，本发明提出一种用于聚焦离子束机台提取样品的方法，包括下列步骤：

提供欧姆尼探针；

使用沉积钨将样品薄片粘连到欧姆尼探针上；

通过欧姆尼探针将样品转移到样品载体上；

通过聚焦离子束切断的方法将样品和欧姆尼探针分离；

在后续制样时，通过第一次残留样品与本次样品进行连接；

通过聚焦离子束切断的方法将本次样品和第一次残留样品进行切断。

进一步的，所述通过离子束切断的方法将样品和欧姆尼探针分离步骤为通过聚焦离子束垂直于样品进行切断操作，在所述欧姆尼探针上残留部分样品。

进一步的，在后续制样时，本次样品和第一次残留样品进行连接的步骤为将本次样品连接于第一次残留样品下方并远离所述欧姆尼探针。

进一步的，在后续制样时，本次样品和第一次残留样品进行切断的步骤为通过聚焦离子束垂直于第一次残留样品且平行于本次样品进行切断操作。

进一步的，当完成本次样品和第一次残留样品进行切断操作后，在所述欧姆尼探针上保留部分第一次残留样品用于后续制样。

进一步的，当完成全部制样操作后，通过聚焦离子束对所述欧姆尼探针进行修针处理将剩余第一次残留样品去除。

本发明提出的用于聚焦离子束机台提取样品的方法，在第一次制样时避免从欧姆尼探针进行切断，而是垂直于样品切断，将残留的样品作为以后进行连接和切断的媒介，利用样品和样品之间的连接和切断来提取新的样品，从而避免欧姆尼探针的损耗并延长欧姆尼探针的使用寿命。

附图说明

图1所示为现有技术中欧姆尼探针与样品切断示意图。

图2所示为本发明较佳实施例的用于聚焦离子束机台提取样品的方法流程图。

图3所示为本发明较佳实施例的第一次欧姆尼探针连接样品的示意图。

图4所示为本发明较佳实施例的第一次切断样品示意图。

图5所示为本发明较佳实施例的残留样品与后续制样进行连接示意图。

图6所示为本发明较佳实施例的后续样品与第一次残留样品切断的示意图。

具体实施方式

以下结合附图给出本发明的具体实施方式，但本发明不限于以下的实施方式。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用于方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

请参考图2，图2所示为本发明较佳实施例的用于聚焦离子束机台提取样品的方法流程图。本发明提出一种用于聚焦离子束机台提取样品的方法，包括下列步骤：

步骤S100：提供欧姆尼探针；

步骤S200：使用沉积钨将样品薄片粘连到欧姆尼探针上；

步骤S300：通过欧姆尼探针将样品转移到样品载体上；

步骤S400：通过聚焦离子束切断的方法将样品和欧姆尼探针分离；

步骤S500：在后续制样时，通过第一次残留样品与本次样品进行连接；