[发明专利]一种坩埚制备方法和多晶铸锭炉在审
申请号: | 201710565559.2 | 申请日: | 2017-07-12 |
公开(公告)号: | CN107236987A | 公开(公告)日: | 2017-10-10 |
发明(设计)人: | 李亮;肖贵云;黄晶晶;闫灯周;姜志兴;梅坤;陈伟 | 申请(专利权)人: | 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
主分类号: | C30B28/06 | 分类号: | C30B28/06;C30B29/06;C04B35/14;C04B35/63;C04B35/622 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 334100 江西*** | 国省代码: | 江西;36 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 坩埚 制备 方法 多晶 铸锭 | ||
技术领域
本发明涉及多晶铸锭技术领域,特别是涉及一种坩埚制备方法和多晶铸锭炉。
背景技术
随着光伏技术的不断发展,光伏电池由于对使用环境的要求较低,使用范围广,正在被大范围的使用。而光伏电池的制造成本和发电成本的竞争就是铸锭技术的竞争,实际上是铸锭质量和成本的竞争,高质量的硅片能够提高光伏电池的发电效率和使用寿命。
护毡在铸锭过程中起隔热作用,护毡的良好隔热效果,可以很好的保护籽晶。平整的籽晶层是目前高效多晶铸锭技术的一个重要环节,籽晶的引晶效果直接影响后端硅片品质。
现有的方案中主要是通过在护板外围引入一层护毡隔热层,如硬毡、软毡等,实现对籽晶的保护。但是,由于现有热场横向温度梯度较大,易导致靠坩埚区域硅块籽晶保护差;现有半熔高效多晶,为保护籽晶,在护板外围固定一层护毡隔热层,铸锭投炉操作费时,且护毡损耗大。
发明内容
本发明提供了一种坩埚制备方法以及多晶铸锭炉,无需使用护毡隔热层,有效确保籽晶的平整性以及引进效果。
为解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种坩埚制备方法,包括:
步骤1,将粉末状SiO2和TiO2按照质量比1:1研磨均匀,作为备用物料;
步骤2,在所述备用物料中加入分散剂、粘接剂进行混合后,在常温下进行搅拌0.5小时~1小时,形成低导热备用物料;
步骤3,将坩埚本体加热到30℃~60℃;
步骤4,在所述坩埚本体的外侧面距离所述坩埚底部100mm~250mm处涂刷所述低导热备用物料形成低导热涂层;
步骤5,将涂刷完所述低导热涂层的所述坩埚本体在相对湿度低于40%的常温环境下自然干燥1小时~2小时;
其中,所述分散剂、所述备用物料、所述粘接剂质量比为1:0.5~7.5:0.1~1.5,所述粘接剂为质量比为1:3~6的有机溶剂和无机溶剂混合而成的粘接剂。
其中,所述备用物料的粒径为1μm~10μm。
其中,所述分散剂为纯水。
其中,所述有机溶剂为醇或苯。
其中,所述无机溶剂为硅溶胶。
其中,所述低导热涂层的厚度为1mm~3mm。
其中,所述低导热涂层的孔隙率为20%~30%。
其中,所述低导热涂层的热导率为0.03w/(m·k)~0.05w/(m·k)。
除此之外,本发明实施例提供了一种多晶铸锭炉,包括采用如上所述的坩埚制备方法制成的坩埚。
本发明实施例所提供的坩埚制备方以及多晶铸锭炉,与现有技术相比,具有以下优点:
本发明实施例提供的坩埚制备方法,包括:
步骤1,将粉末状SiO2和TiO2按照质量比1:1研磨均匀,作为备用物料;
步骤2,在所述备用物料中加入分散剂、粘接剂进行混合后,在常温下进行搅拌0.5小时~1小时,形成低导热备用物料;
步骤3,将坩埚本体加热到30℃~60℃;
步骤4,在所述坩埚本体的外侧面距离所述坩埚底部100mm~250mm处涂刷所述低导热备用物料形成低导热涂层;
步骤5,将涂刷完所述低导热涂层的所述坩埚本体在相对湿度低于40%的常温环境下自然干燥1小时~2小时;
其中,所述分散剂、所述备用物料、所述粘接剂质量比为1:0.5~7.5:0.1~1.5,所述粘接剂为质量比为1:3~6的有机溶剂和无机溶剂混合而成的粘接剂。
所述坩埚制备方法以及多晶铸锭炉,通过制备低导热涂层并设置在坩埚本体的外壁,取代现有的护毡隔热层,有效确保籽晶的平整性,而且无需通过钼丝等进行固定,节省了固定需要的时间,具有省时、成本低的优点。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的坩埚制备方法的一种具体实施方式的步骤流程示意图。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司,未经晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710565559.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种用于人工晶体的生长装置
- 下一篇:一种多晶气冷硅铸锭炉