[发明专利]一种坩埚制备方法和多晶铸锭炉在审
| 申请号： | 201710565559.2 | 申请日： | 2017-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN107236987A | 公开（公告）日： | 2017-10-10 |
| 发明（设计）人： | 李亮;肖贵云;黄晶晶;闫灯周;姜志兴;梅坤;陈伟 | 申请（专利权）人： | 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06;C04B35/14;C04B35/63;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 334100 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 坩埚 制备 方法 多晶 铸锭 | ||
1.一种坩埚制备方法，其特征在于，包括：
步骤1，将粉末状SiO2和TiO2按照质量比1:1研磨均匀，作为备用物料；
步骤2，在所述备用物料中加入分散剂、粘接剂进行混合后，在常温下进行搅拌0.5小时～1小时，形成低导热备用物料；
步骤3，将坩埚本体加热到30℃～60℃；
步骤4，在所述坩埚本体的外侧面距离所述坩埚底部100mm～250mm处涂刷所述低导热备用物料形成低导热涂层；
步骤5，将涂刷完所述低导热涂层的所述坩埚本体在相对湿度低于40％的常温环境下自然干燥1小时～2小时；
其中，所述分散剂、所述备用物料、所述粘接剂质量比为1:0.5～7.5:0.1～1.5，所述粘接剂为质量比为1:3～6的有机溶剂和无机溶剂混合而成的粘接剂。
2.如权利要求1所述坩埚制备方法，其特征在于，所述备用物料的粒径为1μm～10μm。
3.如权利要求1所述坩埚制备方法，其特征在于，所述分散剂为纯水。
4.如权利要求1所述坩埚制备方法，其特征在于，所述有机溶剂为醇或苯。
5.如权利要求1所述坩埚制备方法，其特征在于，所述无机溶剂为硅溶胶。
6.如权利要求1所述坩埚制备方法，其特征在于，所述低导热涂层的厚度为1mm～3mm。
7.如权利要求1所述坩埚制备方法，其特征在于，所述低导热涂层的孔隙率为20％～30％。
8.如权利要求1所述坩埚制备方法，其特征在于，所述低导热涂层的热导率为0.03w/(m·k)～0.05w/(m·k)。
9.一种多晶铸锭炉，其特征在于，包括采用如权利要求1～8任意一项所述的坩埚制备方法制成的坩埚。
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