[发明专利]一种离子注入角度的监控方法

说明书

本发明提供了一种离子注入角度的监控方法。所述离子注入角度的监控方法，包括：在硅衬底形成氧化层；在所述氧化层表面形成多晶硅层，并对所述多晶硅层进行图案化处理以形成多个相互间隔的多晶硅区域；在所述多晶硅层表面形成多个绝缘阻挡块，所述多个绝缘阻挡块相互间隔并形成相应的开口来将所述多晶硅区域裸露出来；通过所述开口并采用一定的角度对各个多晶硅区域进行离子注入处理；对所述多晶硅区域进行电阻测试，来检测在所述离子注入过程中的离子注入角度是否出现偏差。本发明提供的方法可以实现简单方便高效地监控离子注入角度。

【技术领域】

本发明涉及半导体芯片制造技术领域，特别地，涉及一种离子注入角度的监控方法。

【背景技术】

在电子工业中，离子注入是半导体制造工艺中的一种非常重要的掺杂技术，也是控制晶体管阈值电压的一个重要手段。在当代半导体芯片，特别是大规模集成电路芯片的制造工艺中，离子注入技术可以说是一种必不可少的手段。

在半导体芯片制造过程中，离子注入工艺的关键参数就是注入剂量、注入能量和注入角度。目前离子注入的监控手段，可以对注入剂量和注入能量进行一些监控，但是对于离子注入角度，暂时没有可靠且高效的办法来进行监控。

如果离子注入角度出现偏差，容易造成半导体芯片内部电路的漏电流、驱动电流等出现问题，并且此类问题一般都比较隐蔽，不容易查出根源并解决。

有鉴于此，有必要提供一种离子注入角度的监控方法，以解决现有技术存在的上述问题。

【发明内容】

本发明的其中一个目的在于为解决上述问题而提供一种离子注入角度的监控方法。

本发明提供的离子注入角度的监控方法，包括：在硅衬底形成氧化层；在所述氧化层表面形成多晶硅层，并对所述多晶硅层进行图案化处理以形成多个相互间隔的多晶硅区域；在所述多晶硅层表面形成多个绝缘阻挡块，所述多个绝缘阻挡块相互间隔并形成相应的开口来将所述多晶硅区域裸露出来；通过所述开口并采用一定的角度对各个多晶硅区域进行离子注入处理；对所述多晶硅区域进行电阻测试，来检测在所述离子注入过程中的离子注入角度是否出现偏差。

作为在本发明提供的离子注入角度的监控方法的一种改进，在一种优选实施例中，所述氧化层为二氧化硅层，其是在800℃～1300℃的生长条件下在所述硅衬底表面生长而成，且所述氧化层的厚度可以为0.1μm～3.00μm。

作为在本发明提供的离子注入角度的监控方法的一种改进，在一种优选实施例中，所述多晶硅层是在400℃～1000℃的生长条件下在所述氧化层表面生长而成，且所述多晶硅层的厚度可以为0.01μm～1.00μm。

作为在本发明提供的离子注入角度的监控方法的一种改进，在一种优选实施例中，所述多个相互间隔的多晶硅区域的大小各不相同，且沿预定方向呈逐渐增大的区域。

作为在本发明提供的离子注入角度的监控方法的一种改进，在一种优选实施例中，所述绝缘层的开口大小与所述多晶硅区域的大小相对应。

作为在本发明提供的离子注入角度的监控方法的一种改进，在一种优选实施例中，所述绝缘层的开口大小沿述预定方向呈逐渐增大的区域。

作为在本发明提供的离子注入角度的监控方法的一种改进，在一种优选实施例中，所述绝缘层的多个相互间隔的绝缘阻挡块用于在离子注入时在所述多晶硅区域形成注入盲区，以使至少部分多晶硅区域的有效离子注入面积不同。

作为在本发明提供的离子注入角度的监控方法的一种改进，在一种优选实施例中，还包括：通过退火处理激活注入到所述多晶硅区域的离子。