[发明专利]多倍频沟槽型周期栅阵制备方法有效
| 申请号： | 201710554705.1 | 申请日： | 2017-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN107219579B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 赵成;陈磊;张凯;曾祥华 | 申请（专利权）人： | 扬州大学 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 吴茂杰 |
| 地址： | 226009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 倍频 沟槽 周期 制备 方法 | ||
1.一种多倍频沟槽型周期栅阵制备方法，包括如下步骤：
(10)基准沟槽获取：在基片上通过一次移动周期栅阵光刻掩膜版、二次曝光、刻蚀，得到基准组沟槽；
(20)重复沟槽获取：在已得到基准组沟槽或者已得到基准组沟槽和部分重复组沟槽的基片上，通过二次移动周期栅阵光刻掩膜版、二次曝光、刻蚀，得到一组重复组沟槽；
(30)沟槽阵列获取：重复步骤(20)重复沟槽获取，制备所需组数的重复组沟槽，得到多倍频沟槽型周期栅阵；
其特征在于，所述(10)基准沟槽获取步骤包括：
(11)第1次曝光：周期栅阵光刻掩膜版保持起始位置，对旋涂负性光刻胶的基片进行第1次曝光；
(12)第2次曝光：将光刻掩膜版右移(n-1)/2n掩膜版栅周期，对第1次曝光后的基片进行第2次曝光；
(13)刻蚀沟槽：显影去除基片未曝光部分的光刻胶胶膜，刻蚀无光刻胶胶膜处的基片材料至所需深度；
(14)去胶：去胶，得到n倍频沟槽型周期栅阵的第1组沟槽，即基准组沟槽，n为大于等于3的整数；
所述(20)重复沟槽获取步骤包括：
(21)一次曝光：将光刻掩膜版左移|n-3|/2n掩膜版栅周期，对已得到基准组沟槽或者已得到基准组沟槽和部分重复组沟槽并再次旋涂负性光刻胶的基片进行一次曝光；
(22)二次曝光：将光刻掩膜版右移(n-1)/2n掩膜版栅周期，对经一次曝光后的基片进行二次曝光；
(23)刻蚀沟槽：显影去除基片未曝光部分的光刻胶胶膜，刻蚀无光刻胶胶膜处的基片材料至所需深度；
(24)去胶：去胶，得到n倍频沟槽型周期栅阵的一组重复组沟槽。
2.根据权利要求1所述的多倍频沟槽型周期栅阵制备方法，其特征在于：所述刻蚀沟槽采用湿法刻蚀，或者反应离子刻蚀。
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