[发明专利]对多级非易失性存储器单元进行编程的方法和存储器装置

权利要求书

1.一种存储器装置，包括：

一个或多个存储器页，包括多个存储器单元，且所述多个存储器单元中的每个存储器单元具有多个可编程的状态级；

存储器控制逻辑部，结合到所述一个或多个存储器页，存储器控制逻辑部包括编程逻辑部和页级重编程状态元数据，

其中，编程逻辑部被配置为：根据页级重编程状态元数据的第一值，在所述多个存储器单元的第一编程中，对所述多个存储器单元中的每个存储器单元的与2的第1次幂至第N次幂中的一个或多个相关联的第一状态级进行编程，其中，N是大于或等于2的正整数；

其中，编程逻辑部被配置为：根据页级重编程状态元数据的第二值，在所述多个存储器单元的第二编程中，对所述多个存储器单元中的每个存储器单元的与2的第2次幂至第N次幂中的一个或多个相关联的第二状态级进行编程，而不会对所述多个存储器单元的中任何一个存储器单元的第一状态级进行读取。

2.如权利要求1所述的存储器装置，其中，

编程逻辑部被配置为：根据页级重编程状态元数据的第三值，在所述多个存储器单元的第三编程中，对所述多个存储器单元中的每个存储器单元的与2的第3次幂至第N次幂中的一个或多个相关联的第三状态级进行编程，而不会对所述多个存储器单元的中任何一个存储器单元的第一状态级和第二状态级进行读取；

编程逻辑部被配置为：在对第一状态级、第二状态级和第三状态级的进行编程期间，或者在对第一状态级、第二状态级和第三状态级进行编程之间，对所述多个存储器单元中的每个存储器单元的在相同地址处的第一状态级、第二状态级和第三状态级进行编程，而不会对所述多个存储器单元的任何位进行擦除。

3.如权利要求2所述的存储器装置，其中，

2的第1次幂至第N次幂之中的2的第K次幂对应于2^(K-1)的位位置，其中，K＝1、2、…、N。

4.如权利要求1所述的存储器装置，其中，

编程逻辑部被配置为：在第一编程期间，对所述多个存储器单元中的每个存储器单元的第一状态级进行编程，而不会对所述多个存储器单元的任何位进行擦除；

编程逻辑部被配置为：在第二编程期间，对所述多个存储器单元中的每个存储器单元的第二状态级进行编程，而不会对所述多个存储器单元的任何位进行擦除。

5.如权利要求1所述的存储器装置，其中，

编程逻辑部被配置为：根据页级重编程状态元数据的第三值，在所述多个存储器单元的第三编程中，对所述多个存储器单元中的每个存储器单元的第三状态级进行编程，而不会对所述多个存储器单元中的任何一个存储器单元的第一状态级和第二状态级进行读取；

编程逻辑部被配置为：在第一编程期间，对所述多个存储器单元中的每个存储器单元的第一状态级进行编程，而不会对所述多个存储器单元的任何位进行擦除；

编程逻辑部被配置为：在第二编程期间，对所述多个存储器单元中的每个存储器单元的第二状态级进行编程，而不会对所述多个存储器单元的任何位进行擦除；

编程逻辑部被配置为：在第三编程期间，对所述多个存储器单元中的每个存储器单元的第三状态级进行编程，而不会对所述多个存储器单元的任何位进行擦除。

6.如权利要求1所述的存储器装置，其中，

存储器控制逻辑部包括读取逻辑部，

所述多个存储器单元中的每个存储器单元的第一状态级对应于阈值电压的第一值，

阈值电压的第一值包括存储于所述多个存储器单元中的每个存储器单元的与所述2的第1次幂至第N次幂中的一个或多个相关联的位位置中的信息，

读取逻辑部被配置为：根据页级重编程状态元数据的第二值，对存储于所述多个存储器单元中的每个存储器单元的与所述2的第1次幂至第N次幂中的一个或多个相关联的位位置中的信息进行读取。