[发明专利]OLED基板和OLED显示装置在审
申请号: | 201710546181.1 | 申请日: | 2017-07-06 |
公开(公告)号: | CN107293573A | 公开(公告)日: | 2017-10-24 |
发明(设计)人: | 许名宏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 姜春咸,陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种OLED基板和一种OLED显示装置。
背景技术
一般的,打印有机发光二极体(Printed OLED)因具有高材料利用率、高效率等特点,以及应用于显示器不需精细金属掩膜(Fine Metal Mask,FMM)或其他复杂图案化工艺等特性,易于大面积制备及全色显示等优点。因此,打印有机发光二极体具有广阔的应用前景,尤其适合应用于大尺寸显示器中,即大尺寸的OLED显示装置。
这其中,为了增加OLED显示装置的开口率等,往往将其设计为顶发射型。然而,传统的顶发射型OLED显示装置,其中的阴极的阻抗较大,而OLED显示装置又为电流驱动的器件,工作过程中的电流流经阻抗较大的阴极将造成较大的压降,也就是所谓的IR压降(IR-Drop)。
因此,如何解决OLED显示装置的IR压降成为本领域亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种OLED基板和一种OLED显示装置。
为了实现上述目的,本发明的第一方面,提供一种OLED基板,所述OLED基板包括衬底基板以及形成在所述衬底基板上的功能元件层,所述功能元件层包括位于该功能元件层表层的导电层,所述OLED基板还包括形成在所述衬底基板上的至少一个连接件,所述连接件能够导电,所述连接件设置在所述导电层上,当所述连接件所处的温度大于或等于预设封装温度时,所述连接件为熔融态,当所述连接件所处的温度小于所述预设封装温度时,所述连接件为固态。
优选地,所述导电层为网格状,且所述导电层与像素单元中的子像素的边界重叠,所述功能元件层还包括多个支撑物,所述支撑物设置在所述衬底基板和所述导电层之间,且所述导电层覆盖所述支撑物,所述连接件设置在所述支撑物的背离所述衬底基板的端部。
优选地,所述功能元件层包括依次形成在所述衬底基板上的阳极层、发光层和阴极层,所述导电层包括所述阴极层,所述功能元件层还包括像素界定件,所述像素界定件将所述功能元件层划分为多个像素单元,所述连接件位于所述像素界定件上方。
优选地,所述功能元件层还包括修饰层,所述修饰层位于所述阴极层的下方,并与所述阴极层接触。
优选地,所述连接件的材料包括镓基合金或铟、锡、铋和锌中任意两种或以上的合金。
本发明的第二方面,提供一种OLED显示装置,所述OLED显示装置包括封装盖板和OLED显示基板,所述封装盖板上设置有导电层,所述OLED显示装置还包括至少一个连接件,所述连接件位于所述导电层和所述OLED显示基板的阴极之间,所述连接件能够导电,所述连接件分别电连接所述导电层和所述OLED显示基板的阴极层,以使得所述导电层与所述OLED显示基板的阴极层并联;当所述连接件所处的温度大于或等于预设封装温度时,所述连接件为熔融态,当所述连接件所处的温度小于所述预设封装温度时,所述连接件为固态。
优选地,所述导电层为网格状,且所述导电层与像素单元中的子像素的边界重叠。
优选地,所述OLED显示基板还包括像素界定件,所述像素界定件将所述OLED显示基板划分为多个像素单元,所述连接件位于所述像素界定件上方。
优选地,所述封装盖板的朝向所述OLED显示基板的一侧还设置有多个支撑物,所述导电层覆盖所述支撑物,所述连接件设置在所述支撑物的背离所述封装盖板的端部。
优选地,所述OLED显示基板上还设置有修饰层,所述修饰层位于所述阴极层的下方,并与所述阴极层接触。
本发明的OLED基板,设置有导电层和连接件,且该连接件所处的温度大于或等于预设封装温度时能够形成熔融态接点,因此,当利用该基板与另一个基板封装形成OLED显示装置时,也即在进行封装时,所形成的熔融态接点能够使得两个基板的连接点位置保持良好地欧姆接触,当封装完成以后,能够有效提高所形成的OLED显示装置的显示性能。同时,呈熔融态的连接件,在封装压合过程中,还能够有效保护两个基板上的膜层结构,提高产品良率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的