[发明专利]光电转换设备、成像系统、及光电转换设备的制造方法有效
申请号: | 201710544402.1 | 申请日: | 2017-07-06 |
公开(公告)号: | CN107591418B | 公开(公告)日: | 2022-01-14 |
发明(设计)人: | 碓井崇;鸟居庆大;大贯裕介;稻秀树 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L27/144;H01L27/146 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 周博俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 设备 成像 系统 制造 方法 | ||
一种光电转换设备、成像系统、及光电转换设备的制造方法,该光电转换设备包括设置在光电转换单元上方的波导构件,以及设置在基板上方并且包围波导构件的至少一部分的绝缘构件。波导构件具有从基板依次布置的第一侧面、第二侧面和第三侧面。第一侧面的倾斜角小于第二侧面的倾斜角。第三侧面的倾斜角小于第二侧面的倾斜角。第二侧面的倾斜角小于90度。
技术领域
本发明涉及光电转换设备、成像系统、可移动装置以及光电转换设备的制造方法。
背景技术
日本专利公开No.2007-194606(以下称“PTL 1”)中描述的光电转换设备具有光电转换单元和设置在光电转换单元上方的波导。对于PTL 1中描述的波导,平行于光电转换单元的光接收表面的波导的截面积随着与光接收表面的距离增加而增加,而且其增加率持续增加。这意味着,离光接收表面越远,波导的侧面的倾斜增加越多。这种配置使得波导的入射面能够增加,由此提高灵敏度。
发明内容
根据本公开的一方面的光电转换设备包括:设置在基板中的光电转换单元;设置在光电转换单元上方的波导构件;以及设置在基板上方并且包围波导构件的至少一部分的绝缘构件。波导构件具有从基板按以下顺序布置的第一侧面、第二侧面和第三侧面。第二侧面的倾斜角小于90度。第一侧面的倾斜角小于第二侧面的倾斜角。第三侧面的倾斜角度小于第二侧面的倾斜角。
根据本公开的另一方面的光电转换设备包括:设置在基板中的光电转换单元;设置在基板上方并且在与光电转换单元对应的位置处具有开口的绝缘构件;以及设置在光电转换单元上方且在所述开口内的波导构件。开口具有从基板按以下顺序布置的第一侧面、第二侧面和第三侧面。第二侧面的倾斜角小于90度。第一侧面的倾斜角小于第二侧面的倾斜角。第三侧面的倾斜角小于第二侧面的倾斜角。
光电转换设备的制造方法包括:形成包括第一绝缘膜、第二绝缘膜和第三绝缘膜的绝缘构件,这些绝缘膜从基板按以上顺序布置在包括光电转换单元的基板上;在与光电转换单元对应的位置处在绝缘构件中形成开口;以及在所述开口中形成波导构件。由第一绝缘膜提供的第一侧面的倾斜角小于由第二绝缘膜提供的第二侧面的倾斜角。由第三绝缘膜提供的第三侧面的倾斜角小于第二侧面的倾斜角。第二侧面的倾斜角小于90度。
参考附图从以下对示例性实施例的描述,本发明的其它特征将变得清楚。
附图说明
图1A至1C示意性地图示光电转换设备,图1A图示光电转换设备的平面配置,而图1B和1C图示光电转换设备的截面结构。
图2是示意性地图示光电转换设备的截面结构的图。
图3A至3E是示意性地图示光电转换设备的截面结构的图。
图4A至4C示意性地图示光电转换设备,图4A图示光电转换设备的平面配置,而4B和4C图示光电转换设备的截面结构。
图5A至5C示意性地图示光电转换设备,图5A图示光电转换设备的平面配置,而图5B和5C图示光电转换设备的截面结构。
图6是示意性地图示光电转换设备的平面结构的图。
图7A和7B是示意性地图示光电转换设备的截面结构的图。
图8A和8B是示意性地图示光电转换设备的截面结构的图。
图9A和9B是示意性地图示光电转换设备的平面结构的图。
图10是示意性地图示光电转换设备的截面结构的图。
图11A至11C是示意性地图示光电转换设备的截面结构的图。
图12是图示成像系统的实施例的框图。
图13A和13B是可移动装置的实施例的框图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的