[发明专利]非易失性存储器测试

权利要求书

1.一种测试非易失性存储器的设备，包括：

处理器，

非易失性存储器，

测试控制器，以及

至少一个其他电路部件，

其中，在测试模式中，所述处理器被配置为测试所述至少一个其他电路部件，并且其中所述测试控制器被配置为与由所述处理器对所述至少一个其他电路部件的测试至少部分同时地测试所述非易失性存储器；并且

其中所述处理器被配置为在由所述处理器对所述至少一个其他电路部件的测试的一些阶段期间暂停所述测试控制器以暂停对所述非易失性存储器的所述测试，并且其中所述测试的一些阶段包括负面影响所述非易失性存储器的测试的操作条件。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述设备被实施为片上系统。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述测试控制器与所述非易失性存储器分离。

4.根据权利要求3所述的设备，还包括耦合所述处理器、所述非易失性存储器和所述至少一个其他电路部件的总线系统，所述设备还包括多路复用器，所述多路复用器被配置为在所述测试模式期间将所述非易失性存储器从所述处理器解耦。

5.根据权利要求1或者2所述的设备，其中所述测试控制器被并入在所述非易失性存储器的存储控制器中。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的设备，其中所述非易失性存储器包括闪存。

7.一种片上系统，包括：

微控制器，

闪存，

其他电路，以及

内建自测试控制器，

其中所述内建自测试控制器配置为与所述微控制器对至少一些所述其他电路的测试至少部分同时地测试所述闪存，并且

其中所述微控制器被配置为在对所述至少一些所述其他电路的测试的一些阶段期间暂停所述内建自测试控制器以暂停对所述闪存的所述测试，并且其中所述测试的一些阶段包括负面影响所述闪存的测试的操作条件。

8.根据权利要求7所述的系统，其中所述内建自测试控制器被并入在所述闪存的存储控制器中。

9.根据权利要求7所述的系统，其中所述内建自测试控制器与所述闪存分离。

10.根据权利要求9所述的系统，还包括多路复用器，所述多路复用器在所述至少一些所述其他电路的所述测试期间将所述微控制器从所述闪存解耦。

11.根据权利要求7至10中任一项所述的系统，其中所述内建自测试控制器包括暂停输入，用以暂时暂停对所述闪存的所述测试。

12.一种测试非易失性存储器的方法，包括：

使用处理器测试系统部件，

在对所述系统部件的所述测试的一部分期间，同时测试非易失性存储器，

在对所述系统部件的所述测试的另一部分期间，暂时暂停测试所述非易失性存储器，以及

由所述处理器设置在所述系统部件的所述测试的所述另一部分期间用于所述系统部件的测试条件，所述测试条件不利地影响所述非易失性存储器的测试。

13.根据权利要求12所述的方法，其中测试所述非易失性存储器包括根据棋盘图案、反棋盘图案、March模式和块写/读取中的一项测试所述非易失性存储器。

14.根据权利要求12或13所述的方法，其中测试所述非易失性存储器包括：将测试数据写入到所述非易失性存储器、从所述非易失性存储器读取所述测试数据以及将从所述非易失性存储器读取的所述测试数据与要写入的测试数据进行比较。