[发明专利]一种电荷泵电路

说明书

本发明公开了一种电荷泵电路，包括：第一电荷泵与第二电荷泵，用于产生输出电压较低但驱动力要求大的电压；第三电荷泵，用于产生输出电压较高正压或负压但驱动力要求小的电压；串并转换单元，用于于需要时将第一电荷泵的输出连接至第二电荷泵的输入；一开关，用于在第三电荷泵的输出电压的控制下产生幅值受控于在第三电荷泵输出电压的输出电压,通过本发明，可节省电路面积。

技术领域

本发明涉及一种电荷泵电路，特别是涉及一种P型镜像位闪存的电荷泵电路。

背景技术

在半导体存储装置中，电可擦可编程只读存储器(EEPROM)(flash memory)是一种易失性存储器，且属于可擦除可编程只读存储器(Erasable Programmable Read-OnlyMemory，EPROM)。电可擦可编程只读存储器(EEPROM)的优点是其可针对整个存储器区块进行擦除，且擦除速度快，约需一至两秒。因此，近年来，电可擦可编程只读存储器(EEPROM)已运用于各种消费性电子产品中，例如：数码相机、数码摄影机、移动电话或笔记本电脑等。

图1为现有技术中一种镜像位N型电可擦可编程只读存储器单元的结构示意图。该镜像位N型电可擦可编程只读存储器单元，包括：P型半导体衬底(P_sub)，其上设置N-Well(N阱)；第一位线BL0和第二位线BL1，分别连接于N-Well(N阱)的两侧；第一浮栅CG0与第二浮栅CG1，设置于N-Well(N阱)上方及位于第一位线BL0和第二位线BL1之间；字线WL，位于第一浮栅CG0和第二浮栅CG1之间。

现有技术之N型电可擦可编程只读存储器的闪存单元操作模式及其电压列表如下表1所示：

表1闪存单元操作模式及其电压列表(V1≤V2)

现有技术中，为了节省电路面积，P型镜像位闪存的电荷泵电路往往进行共享。在现有技术中，该P型镜像位闪存的电荷泵电路一般包括4个电荷泵和两个串并转换单元以及外围电路(图1中未示出)，即如图2(图2为现有技术之P型镜像位闪存的电荷泵电路的结构示意图)所示之电荷泵1、电荷泵2、电荷泵3、电荷泵4、串并转换单元5以及串并转换单元6，电荷泵1的输出V_P1以及电荷泵2的输入连接至串并转换单元1，电荷泵1的输出V_P1可以经由串并转换单元5进行输出，电荷泵3的输出V_P3和电荷泵4的输入连接至串并转换单元5，于需要时(例如编程以及擦除时)，电荷泵1和电荷泵2串联，即电荷泵1的输出V_P1经由串并转换单元5连接至电荷泵2的输入以获得高压(大约～8V)，于需要时(例如擦除)，电荷泵3和电荷泵4串联，即电荷泵3的输出V_P3经由串并转换单元6连接至电荷泵4的输入以获得负高压(大约～-7V)，其他操作模式下的电压均需要较大输出电流，因此需要电荷泵并联使用，此时电荷泵1的输出V_P1仅仅经由串并转换单元5输出而不需要连接至电荷泵2的输入，并且电荷泵1的输出V_P1和电荷泵2的输出V_P2并联连接(其并联电路图中未示出)，电荷泵3的输出V_P3仅仅经由串并转换单元6输出而不需要连接至电荷泵4的输入，并且电荷泵3的输出V_P3和电荷泵4的输出并联连接(其并联电路图中未示出)。

具体地，读出时，电荷泵1和电荷泵2并联以获得较强驱动能力，V_P1＝V_P2＝V2，电荷泵3和电荷泵4并联以获得较强驱动能力，V_P3＝V1；编程时，电荷泵3和电荷泵4并联以获得较强驱动能力，V_P1＝V_P3＝V5，电荷泵1和电荷泵2串联以获得高压(～8V)，V_P2＝V3；擦除时，电荷泵1和电荷泵2串联以获得高压(大约～8V)，V_P2＝V8，电荷泵3和电荷泵4串联以获得负高压(大约～-7V)，V_N＝V6。