[发明专利]复合发光层、QLED器件及其制备方法

说明书

本发明提供了一种复合发光层，包括由氧化石墨烯和有机胺配体制成的辅助功能层，以及结合在所述辅助功能层上的量子点层，且所述氧化石墨烯表面含有富电子官能团，所述有机胺配体的结构通式为Y‑R‑R₁N⁺(R₂)R₃，其中，R为烃基、芳基及其衍生物中的一种；R₁、R₂、R₃分别独立选自H、烃基中的一种；所述复合发光层中，所述有机胺配体的‑R₁N⁺(R₂)R₃与所述氧化石墨烯表面的富电子官能团连接，所述有机胺配体的Y与所述量子点层中的量子点结合。

技术领域

本发明属于量子点发光二极管技术领域，尤其涉及一种复合发光层、QLED器件及其制备方法。

背景技术

由于具有独特的光学性质，近年来，量子点(Quantum dot,QD)在发光二极管上的应用得到了极大的发展，引起了人们的广泛兴趣。量子点发光亮度高、色彩纯正以及颜色易调节的优点使其成为下一代显示屏和固态光源色彩中心最优秀的候选者。基于量子点材料和技术的发光二极管称为量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diode,QLED)，与传统发光二极管以及有机发光二极管(Organic light-emitting diode,OLED)相比，QLED具有众多优势，如器件在水氧环境下不易被氧化、稳定性好、发光纯度高、色彩鲜艳、寿命长等，在未来显示技术上显示出更大的优越性和应用前景。

目前，在QLED的制备技术中，最常用且最有希望实现大规模产业化的生产加工方法是溶液成膜法，特别是器件中除电极外的量子点发光层以及各种功能层。例如，对于量子点发光层的沉积方法，目前大多数溶液相成膜工艺是将表面配体功能化的量子点溶于有机溶剂中，配置成量子点溶液或量子点墨水，接着通过旋涂或印刷方式沉积衬底或底功能层上，然后采用同样的成膜方法在量子点发光层上沉积电子传输层，最后蒸镀电极，得到QLED器件。但是，由于量子点的颗粒尺寸与普通离子或有机小分子相比较大，并且量子点表面含有丰富的有机胺配体，成膜后量子点颗粒之间的连接并不紧密，膜层相对松散，沉积后的量子点仍有很大机会在后续其他功能层的溶液法成膜过程中重新溶解带走或直接冲走，导致量子点膜层不均匀、界面缺陷较大，进而导致器件发光不均匀。即使采用难溶解量子点的溶剂，也难以避免该过程的发生，而且也因为这样，后续功能层材料的选择也会受到其可选溶剂的限制。因此，现有技术还有待进一步的研究和发展。

发明内容

本发明的目的在于提供一种复合发光层，旨在解决现有QLED器件的制备方法中，量子点发光层中的量子点容易被其他功能层的制备溶液溶解或冲走，导致器件发光不均匀的问题。

本发明的另一目的在于提供一种含有上述复合发光层的QLED器件及其制备方法。

本发明是这样实现的，一种复合发光层，包括由氧化石墨烯和有机胺配体制成的辅助功能层，以及结合在所述辅助功能层上的量子点层，且所述氧化石墨烯表面含有富电子官能团，所述有机胺配体的结构通式为Y-R-R₁N⁺(R₂)R₃，其中，R为烃基、芳基及其衍生物中的一种；R₁、R₂、R₃分别独立选自H、烃基中的一种；

所述复合发光层中，所述有机胺配体的-R₁N⁺(R₂)R₃与所述氧化石墨烯表面的富电子官能团连接，所述有机胺配体的Y与所述量子点层中的量子点结合。

以及，一种QLED器件，包括依次层叠结合的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极，所述发光层为上述的复合发光层。

相应的，一种QLED器件的制备方法，包括以下步骤：