[发明专利]复合发光层、QLED器件及其制备方法

权利要求书

1.一种复合发光层，其特征在于，包括由氧化石墨烯和有机胺配体混合制成的辅助功能层，以及结合在所述辅助功能层上的量子点层，且所述氧化石墨烯表面含有富电子官能团，所述有机胺配体的结构通式为Y-R-R₁N⁺(R₂)R₃，其中，R为烃基、芳基及其衍生物中的一种；R₁、R₂、R₃分别独立选自H、烃基中的一种；

所述复合发光层中，所述有机胺配体的-R₁N⁺(R₂)R₃与所述氧化石墨烯表面的富电子官能团连接，所述有机胺配体的Y与所述量子点层中的量子点结合；所述辅助功能层中，所述氧化石墨烯和所述有机胺配体的质量比为1：0.001～1：0.5。

2.如权利要求1所述的复合发光层，其特征在于，所述氧化石墨烯中，所述富电子官能团选自-O^-、-COO^-、-S^-、-NH^-、-SO₃^-中的至少一种。

3.如权利要求1所述的复合发光层，其特征在于，所述有机胺配体中，所述Y选自-O^-、-COO^-、-S^-、-NH^-、-SO₃^-、-NH₃⁺中的至少一种。

4.如权利要求1所述的复合发光层，其特征在于，所述有机胺配体中，所述-R₁N⁺(R₂)R₃为-(NH₃)⁺、-(R₁NH₂)⁺、-(R₁NHR₂)⁺、-R₁N⁺(R₂)R₃中的至少一种，其中R₁、R₂均为烃基。

5.如权利要求1所述的复合发光层，其特征在于，所述复合发光层中，所述有机胺配体与所述量子点的质量比为0.2～150：1。

6.如权利要求1-5任一项所述的复合发光层，其特征在于，所述有机胺配体的Y与所述量子点层中的量子点通过静电吸附结合，和/或

所述有机胺配体的Y与所述量子点层中的量子点通过化学键结合。

7.一种QLED器件，包括依次层叠结合的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极，其特征在于，所述发光层为权利要求1-6任一项所述的复合发光层。

8.如权利要求7所述的QLED器件，其特征在于，所述复合发光层的厚度为5-50nm。

9.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供氧化石墨烯溶液，在所述氧化石墨烯溶液中加入有机胺配体，混合得到氧化石墨烯/有机胺配体混合溶液；

提供衬底，在所述衬底上依次沉积阳极、空穴注入层、空穴传输层；

在所述空穴传输层上沉积所述氧化石墨烯/有机胺配体混合溶液，得到辅助功能层，在所述辅助功能层上沉积量子点层，所述辅助功能层与所述量子点层结合形成复合发光层，其中；所述辅助功能层中，所述氧化石墨烯和所述有机胺配体的质量比为1：0.001～1：0.5；

在所述复合发光层上依次沉积电子传输层和阴极。