[发明专利]一种具有异质双开关的导电型形状记忆高分子复合材料及其制备方法和应用在审
申请号: | 201710541884.5 | 申请日: | 2017-07-05 |
公开(公告)号: | CN107501898A | 公开(公告)日: | 2017-12-22 |
发明(设计)人: | 罗洪盛;王华权;周兴东;易国斌;曾琳惠;张怡杭 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | C08L75/04 | 分类号: | C08L75/04;C08L1/04;C08K7/06 |
代理公司: | 广东广信君达律师事务所44329 | 代理人: | 张燕玲,杨晓松 |
地址: | 510062 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 双开 导电 形状 记忆 高分子 复合材料 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种具有异质双开关的导电型形状记忆高分子复合材料,其特征在于:该高分子复合材料的组分包括:纤维素纳米微晶、纳米导电材料和形状记忆高分子。
2.根据权利要求1所述的一种具有异质双开关的导电型形状记忆高分子复合材料,其特征在于:所述纤维素纳米微晶的质量百分数为10-30%,所述纳米导电材料的质量百分数为3-5%,所述形状记忆高分子的质量百分数为65-87%。
3.根据权利要求1所述的一种具有异质双开关的导电型形状记忆高分子复合材料,其特征在于:所述纤维素纳米微晶是将微晶纤维素用质量分数为64%的浓硫酸进行酸化处理45-60分钟,处理的温度为45-55℃,再透析18-24h,然后在-50℃下冷冻干燥24-48小时得到纤维素纳米微晶;该纤维素纳米微晶的线长是270-310nm,线径是18-25nm。
4.根据权利要求1所述的一种具有异质双开关的导电型形状记忆高分子复合材料,其特征在于:所述纳米导电材料是纳米银线、纳米金线和纳米铜线中的一种以上,其线长为30-40μm,线径为50nm。
5.根据权利要求1所述的一种具有异质双开关的导电型形状记忆高分子复合材料,其特征在于:所述形状记忆高分子是形状记忆聚氨酯高分子,其玻璃化转变变温度为40-60℃,其分子量为10000-1000000。
6.根据权利要求1所述的一种具有异质双开关的导电型形状记忆高分子复合材料的制备方法,其特征在于包括以下操作步骤:
(1)将纳米导电材料的乙醇溶液旋涂在玻璃基底上,自然烘干制备得到3-5mg的纳米导电膜;
(2)将65-85mg的形状记忆高分子和10-30mg的纤维素纳米微晶溶解于有机溶剂中,在油浴中,温度范围为55-60℃,磁力搅拌12-18小时,得到纤维素微晶混合高分子混合溶液;然后将混合溶液滴涂在步骤(1)所得纳米导电膜上,在烘箱中以50-55℃干燥12小时,最后放入真空干燥箱中以45-55℃干燥16-24小时,获得具有异质双开关的导电型形状记忆高分子复合材料。
7.根据权利要求6所述的制备方法:步骤(2)中所述的有机溶剂为N,N二甲基乙酰胺、N,N二甲基甲酰胺、二甲基桠枫或四氢呋喃。
8.根据权利要求1所述的一种具有异质双开关的导电型形状记忆高分子复合材料在柔性电子可穿戴设备中的应用。
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