[发明专利]一种大型触摸屏制备方法有效

专利信息
申请号: 201710536987.2 申请日: 2017-07-04
公开(公告)号: CN107479774B 公开(公告)日: 2021-04-13
发明(设计)人: 苏伟;王雷 申请(专利权)人: 深圳市志凌伟业技术股份有限公司
主分类号: G06F3/044 分类号: G06F3/044
代理公司: 深圳市博锐专利事务所 44275 代理人: 张明
地址: 518000 广东省深圳市龙华新区观澜*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 大型 触摸屏 制备 方法
【说明书】:

发明公开了一种大型触摸屏制备方法,S1:对用于制作触摸屏的第一基板及第二基板分别进行老化;S2:提供打印机,利用所述打印机在第一基板上打印第一矩阵图形、在第二基板上打印第二矩阵图形;所述打印机的涂料为掺杂纳米金属的UV油墨;S3:利用紫外光分别照射第一基板和第二基板,使UV油墨固化;S4:在第一基板打印有第一矩阵图形的一侧涂覆光学胶;S5:将第一基板与第二基板贴合,使第一矩阵图形和第二矩阵图形形成电容矩阵。采用纳米金属制作矩阵图形,大大降低了矩阵图形的阻值,即使矩阵图形很大,其阻值也很小,从而使得触摸屏的灵敏度得到保证;不受尺寸限制,支持大型触摸屏。

技术领域

本发明涉及电容触摸屏技术领域,尤其涉及一种大型触摸屏制备方法。

背景技术

触摸屏是人机交互的重要媒介之一,随着触控产品的快速发展,人们对触控产品的要求也日益递增。从智能穿戴的小尺寸屏幕,到手机便携类产品,再到平板电脑、一体机等,对触摸屏的性能要求也越来越高,并且趋向功能多样化和大尺寸化等方向发展。

在中小尺寸的电容触摸屏的生产制作过程中,通常可以采用如下几种工艺:干蚀刻法、湿蚀刻法、激光蚀刻法、黄光蚀刻法等。基本工艺原理是采用不同的蚀刻工艺,在ITO膜上形成相互靠近的导线图形,最后通过芯片处理器,将位置变动带来的容值变化转化为数字信号,通过放大器后,确定触摸点的位置。然而基于这类处理方式的触摸屏存在的一个弊端,触摸产品的触控面积越大,ITO膜的阻值也就越大,感应灵敏度受到电阻限制而有所降低。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是:提供一种感应灵敏度高的大型触摸屏制备方法。

为了解决上述技术问题,本发明采用的技术方案为:一种大型触摸屏制备方法,S1:对用于制作触摸屏的第一基板及第二基板分别进行老化;S2:提供打印机,利用所述打印机在第一基板上打印第一矩阵图形、在第二基板上打印第二矩阵图形;所述打印机的涂料为掺杂纳米金属的UV油墨;S3:利用紫外光分别照射第一基板和第二基板,使UV油墨固化;S4:在第一基板打印有第一矩阵图形的一侧涂覆光学胶;S5:将第一基板与第二基板贴合,使第一矩阵图形和第二矩阵图形形成互容矩阵,从而形成电容。

本发明的有益效果在于:采用纳米金属制作矩阵图形,大大降低了矩阵图形的阻值,即使矩阵图形很大,其阻值也很小,从而使得触摸屏的灵敏度得到保证;颠覆了传统的繁琐工艺,使其产品不需要开模具,产出的产品线性度好,触摸效果也有所提升,最重要的是不受尺寸限制,支持大型触摸屏。

附图说明

图1为本发明实施例一的大型触摸屏制备方法的流程图;

图2为本发明实施例一的大型触摸屏中第一基板的结构示意图;

图3为本发明实施例一的大型触摸屏中第一基板的结构示意图。

标号说明:

1、第一基板;

2、第一矩阵图形;

3、第二基板;

4、第二矩阵图形。

具体实施方式

为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果,以下结合实施方式并配合附图予以说明。

本发明最关键的构思在于:利用纳米金属制作矩阵图形打印到基板上。

请参照图1至图3,一种大型触摸屏制备方法,S1:对用于制作触摸屏的第一基板1及第二基板3分别进行老化;S2:提供打印机,利用所述打印机在第一基板1上打印第一矩阵图形2、在第二基板3上打印第二矩阵图形4;所述打印机的涂料为掺杂纳米金属的UV油墨;S3:利用紫外光分别照射第一基板1和第二基板3,使UV油墨固化;S4:在第一基板1打印有第一矩阵图形2的一侧涂覆光学胶;S5:将第一基板1与第二基板3贴合,使第一矩阵图形2和第二矩阵图形4形成互容矩阵,从而形成电容。

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