[发明专利]OLED显示面板、线路结构及OLED显示设备在审
申请号: | 201710530715.1 | 申请日: | 2017-06-30 |
公开(公告)号: | CN107331686A | 公开(公告)日: | 2017-11-07 |
发明(设计)人: | 徐奎 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人: | 郝传鑫,熊永强 |
地址: | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 线路 结构 设备 | ||
技术领域
本发明涉及显示屏技术领域,尤其涉及一种OLED显示面板线路结构、OLED显示面板及OLED显示设备。
背景技术
目前平板显示行业的主流技术是LCD(Liquid Crystal Display,液晶显示器)和OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管),与LCD相比OLED具有可弯折性,可实现显示形态的多样化。
其中,OLED的TFT基板采用柔性板作为基板设置TFT,然后TFT基板上面依次为OLED发光层、TFE薄膜封装层、偏光片及盖板玻璃,外引脚区设于基板上位置位于TFT基板一侧;外引脚区用于设置驱动芯片、连接柔性线路板等并设置OLED发光层与芯片线路板的金属走线层。目前实现柔性主流的方式是将设有外引脚区的基板部分弯折到TFT基板整体的背面,如此就要将金属走线层一并弯折,弯折后金属走线层处于弯曲状态并承受一定应力,而基板的弯折应力较大,金属走线层与基板一同弯折容易产生断裂。
发明内容
本发明提供一种OLED显示面板,解决外引脚区在弯折时金属走线层被折断的技术问题。
本发明提供的所述OLED显示面板线路结构,OLED显示面板包括阵列基板,OLED显示面板线路结构包括设于所述阵列基板衬底的外引脚区,所述外引脚区上设置有两层相互绝缘的金属走线层,所述外引脚区设有弯折区,所述两层金属走线层的走线与所述弯折区的中心线呈非直角的夹角设置,所述两层金属走线层用于将所述OLED显示面板与外部的电信号连接。
其中,两层所述金属走线层为沿着所述OLED显示面板厚度方向上下层设置并通过绝缘层绝缘。
其中,所述阵列基板包括形成于衬底上的TFT开关及栅极绝缘层,所述第一层金属走线层设于位于外引脚区的所述栅极绝缘层上,所述第二层金属走线层设于覆盖所述外引脚区的第一层金属层的绝缘层上。
其中,所述两层金属走线层的走线在所述外引脚区上的投影有相交但不完全重叠,且相交的位置位于所述弯折中心线两侧或者弯折中心线上。
本发明提供的OLED显示面板,其特征在于,包括阵列基板及外引脚区,层叠于所述阵列基板上的OLED发光层、偏光片及玻璃盖板,所述阵列基板包括衬底,其特征在于,所述外引脚区上设置有至少两层相互绝缘的金属走线层,所述外引脚区设有弯折区,所述两层金属走线层的走线与所述弯折区的中心线呈非直角的夹角设置,所述两层金属走线层用于将所述OLED显示面板与外部的电信号连接。
其中,所述两层金属走线层为沿着所述OLED显示面板厚度方向上下层设置并通过绝缘层绝缘。
其中,所述阵列基板包括形成于衬底上的TFT开关及栅极绝缘层,所述两层金属走线层中的第一层金属走线层设于位于外引脚区的所述栅极绝缘层上,所述两层金属走线层中的第二层金属走线层设于覆盖所述外引脚区的第一层金属层的绝缘层上。
其中,两层金属走线层的走线在所述外引脚区上的投影有相交但不完全重叠,且相交的位置位于所述弯折中心线两侧或者弯折中心线上。
其中,还包括柔性线路板,所述柔性线路板连接于所述外引脚区并通过所述金属走线层与所述OIED显示面板连接。
本发明提供的OLED显示设备,包括所述的OLED显示面板。
本发明所述OLED显示面板在外引脚区沿着弯折区域的中心线向阵列基板的背面弯折时,两层金属走线层的走线与弯折中心线的夹角非90度直角,那么在走线随着衬底弯折时,所述走线弯折方向是倾斜的,增大走线接触面积,减小单位长度受力,这样就可以减小对走线的直接应力,解决外引脚区在弯折时金属走线层被折断的技术问题。
附图说明
为更清楚地阐述本发明的构造特征和功效,下面结合附图与具体实施例来对其进行详细说明。
图1是本发明OLED显示面板的结构侧面示意简图。
图2是本发明OLED显示面板走线结构的侧面示意简图。
图3是图2所示的OLED显示面板走线结构的平面示意图。
图4是图3所示的OLED显示面板走线结构的走线与弯折中心线的示意图。
具体实施例
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。其中,附图仅用于示例性说明,表示的仅是示意图,不能理解为对本专利的限制。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的