[发明专利]一种高稳定型铜基电接触材料的制备方法

权利要求书

1.一种高稳定型铜基电接触材料的制备方法，其特征在于具体制备步骤为：

（1）按质量比1:10，将氯化铜与质量分数10％的硝酸铝溶液混合，水浴加热得混合液，按质量比1：3：5，将纳米铜粉、质量分数10％的碳酸钠溶液与质量分数10％的氢氧化钠溶液混合，超声分散得混合碱液；

（2）按体积比1:5，将混合碱液滴加至混合液中，搅拌混合并置于高压反应釜中，晶化处理并离心分离，收集下层沉淀，洗涤、干燥、球磨、过筛，得界面改性粉末；

（3）按重量份数计，分别称量70～75份钛，10～15份硅和10～15份石墨混合球磨过筛得球磨粉末，将球磨粉末压制成型得坯料，将坯料保温预烧后升温，保温煅烧后静置冷却至室温，得煅烧坯料，破碎碾磨过筛，得煅烧陶瓷粉末；

（4）按重量份数计，分别称量45～50份煅烧陶瓷粉末、55～65份200目铜粉和5～10份界面改性粉末搅拌混合得混合基体粉末，将压制成型得生坯，将生坯置于氮气保护下，在50MPa压力下预烧后再煅烧，静置冷却至室温，即可制备得一种高稳定型铜基电接触材料。

2.根据权利要求1所述的一种高稳定型铜基电接触材料的制备方法，其特征在于：步骤（2）所述的混合碱液滴加时间为10～15min；所述的晶化处理条件温度为100～110℃、压力为0.8～1.0Mpa。

3.根据权利要求1所述的一种高稳定型铜基电接触材料的制备方法，其特征在于：步骤（3）所述的预烧温度为300～400℃，煅烧温度为1500℃；所述的坯料压制成型压力为50～100Mpa。

4.根据权利要求1所述的一种高稳定型铜基电接触材料的制备方法，其特征在于：步骤（4）所述的生坯压制压力为950～1000Mpa；所述的预烧温度为750℃，煅烧温度为950～1000℃。