[发明专利]一种存储设备及其数据处理方法

说明书

本发明公开了一种存储设备及其数据处理方法，所述存储设备包括第一存储单元、第二存储单元；所述方法包括：检测存储设备的随机写性能参数；当所述存储设备的随机写性能参数小于等于预设阈值时，将待存储的数据按照第一策略写入至所述第二存储单元；将所述第二存储单元中的数据按照第二策略写入至所述第一存储单元，所述第二存储单元的随机写性能参数大于所述第一存储单元的随机写性能参数。

技术领域

本发明涉及数据存储技术，尤其涉及一种存储设备及其数据处理方法。

背景技术

固态硬盘(SSD，Solid State Drives)简称固盘，SSD由控制器和存储单元组成。NAND闪存是一种非易失性的存储技术，即断电后仍能保存数据，通常，SSD中的存储单元由NAND闪存颗粒组成。

SSD在开始使用初期(典型是没有全盘顺序写入过2遍的时候)，经常出现随机写性能下降一半以上，甚至会下降到十分之一，大大影响了客户的使用感受。这是因为NAND的磨损平衡没有做好，要想磨损平衡机制运行良好就需要先全盘写完2遍及以上。但是，随着SSD容量越来越大，从几百GB到几十TB甚至几百TB以上，全盘顺序写入2遍在正常客户使用时是非常麻烦的，所以SSD在开始使用初期的随机写性能下降问题是亟待解决的问题。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种存储设备及其数据处理方法。

本发明实施例提供的存储设备的数据处理方法中，存储设备包括第一存储单元、第二存储单元；所述方法包括：

检测存储设备的随机写性能参数；

当所述存储设备的随机写性能参数小于等于预设阈值时，将待存储的数据按照第一策略写入至所述第二存储单元；

将所述第二存储单元中的数据按照第二策略写入至所述第一存储单元，所述第二存储单元的随机写性能参数大于所述第一存储单元的随机写性能参数。

本发明一实施方式中，所述方法还包括：

当所述存储设备的随机写性能参数大于所述预设阈值时，将待存储的数据按照所述第一策略写入至所述第一存储单元。

本发明一实施方式中，所述将待存储的数据按照第一策略写入至所述第二存储单元，包括：

将待存储的数据按照随机写入策略写入至所述第二存储单元。

本发明一实施方式中，所述将所述第二存储单元中的数据按照第二策略写入至所述第一存储单元，包括：

将所述第二存储单元中的数据按照顺序写策略写入至所述第一存储单元。

本发明一实施方式中，所述第一存储单元为NAND，所述第二存储单元为DIMM；所述第一存储单元的数目大于所述第二存储单元的数目。

本发明实施例提供的存储设备包括：性能控制器、存储控制器、第一存储单元、第二存储单元；其中，

所述性能控制器，用于检测存储设备的随机写性能参数；当所述存储设备的随机写性能参数小于等于预设阈值时，将待存储的数据按照第一策略写入至所述第二存储单元；

所述存储控制器，用于将所述第二存储单元中的数据按照第二策略写入至所述第一存储单元，所述第一存储单元的随机写性能参数大于所述第一存储单元的随机写性能参数。

本发明一实施方式中，所述存储控制器，还用于当所述存储设备的随机写性能参数大于所述预设阈值时，将待存储的数据按照所述第一策略写入至所述第一存储单元。

本发明一实施方式中，所述性能控制器，还用于将待存储的数据按照随机写入策略写入至所述第二存储单元。

本发明一实施方式中，所述存储控制器，还用于将所述第二存储单元中的数据按照顺序写策略写入至所述第一存储单元。