[发明专利]β型赛隆荧光体及其制造方法、以及发光构件及发光装置在审

专利信息
申请号: 201710524257.0 申请日: 2017-06-30
公开(公告)号: CN107557001A 公开(公告)日: 2018-01-09
发明(设计)人: 江本秀幸;南云敏朗 申请(专利权)人: 电化株式会社
主分类号: C09K11/64 分类号: C09K11/64;H01L33/50
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 型赛隆 荧光 及其 制造 方法 以及 发光 构件 装置
【权利要求书】:

1.一种β型赛隆荧光体,其以β型赛隆作为基质晶体,含有Eu作为发光中心,其中,将Eu的化学状态分为Eu2+、Eu3+、及它们的中间状态Eum这三种时,它们的存在比例满足0.1<Eum/(Eu2++Eu3++Eum)<0.4且Eu2+/(Eu2++Eu3+)>0.7的关系。

2.根据权利要求1所述的β型赛隆荧光体,其特征在于,作为基质晶体的β型赛隆由通式Si6-zAlzOzN8-z表示,其中z值为0.005以上且1以下。

3.根据权利要求1或2所述的β型赛隆荧光体,其中,Eu含量为0.1~2质量%。

4.权利要求1~3中任一项所述的β型赛隆荧光体的制造方法,其具备如下工序:

第一焙烧工序,将至少包含氮化硅、氮化铝及Eu化合物的混合粉末在氮气气氛中、在1550~2100℃下焙烧,得到焙烧粉;

第二焙烧工序,向所述焙烧粉中添加选自氮化硅、氧化硅、氮化铝、氧化铝、氧化铕中的一种以上粉末,在氮气气氛中、在1900~2100℃下进行焙烧,得到焙烧物;

退火工序,将所述焙烧物在除纯氮以外的非氧化性气氛中在第二焙烧温度以下进行加热;以及

酸处理工序,对退火处理粉进行酸处理。

5.一种发光构件,其具有:发光元件;1种以上的β型赛隆荧光体,该β型赛隆荧光体吸收由发光元件发出的光并且发出波长比由发光元件发出的光长的光;以及含有β型赛隆荧光体的密封材料,

β型赛隆荧光体为权利要求1~3中任一项所述的β型赛隆荧光体。

6.一种发光装置,其使用权利要求5所述的发光构件。

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