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[发明专利]β型赛隆荧光体的制造方法-CN201080049555.5无效
发明人：野见山智宏;山田铃弥;桥本久之 -专利权人：电气化学工业株式会社
申请日： 2010-11-01 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C04B35/599 文献下载
摘要：本发明提供一种β型赛隆荧光体的制造方法，所述β型赛隆荧光体在β型赛隆中固溶有铕离子，所述制造方法包括混合β型塞隆荧光体的原料的混合工序；烧结混合工序后的原料形成β型赛隆荧光体的烧结工序；对烧结工序后的β型赛隆荧光体进行HIP处理的HIP处理工序；对HIP处理工序后的β型赛隆荧光体进行退火处理的退火处理工序和对退火处理工序后的β型赛隆荧光体进行酸处理的酸处理工序。根据该β型赛隆荧光体的制造方法，能够得到发光强度优异的β型赛隆荧光体。
型赛隆荧光制造方法

[发明专利]β型赛隆荧光体、其用途以及β型赛隆荧光体的制造方法-CN201180010799.7有效
发明人：江本秀幸;长崎浩德 -专利权人：电气化学工业株式会社
申请日： 2011-02-19 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：一种β型赛隆荧光体，该β型赛隆荧光体以通式：Si6-zAlzOzN8-z（0型赛隆为基体材料，固溶Eu2+作为发光中心，用蓝色光激发时在波长520~560nm的范围内具有峰。该β型赛隆荧光体的波长700~800nm的平均漫反射系数为90%以上，荧光峰波长的漫反射系数为85%以上。
型赛隆荧光用途以及制造方法

[发明专利]β型赛隆及其制备方法和发光装置-CN201180029917.9有效
发明人：竹田豪;桥本久之;市川真义;野见山智宏;山田铃弥 -专利权人：电气化学工业株式会社
申请日： 2011-07-28 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：本发明是一种β型赛隆，用通式：Si6-zAlzOzN8-z表示，并固溶有Eu，并且在电子自旋共振法中与25℃、g=2.00±0.02的吸收对应的自旋密度为6.0×1016个/g以下。β型赛隆的制备方法具有以下工序：将原料进行混合的混合工序；将混合工序后的原料烧成为β型赛隆的烧成工序；在将混合工序后烧成工序前的原料的环境温度升温至烧成工序的烧成温度时，以2℃/min以下的升温速度从1500℃升温至烧成工序的烧成温度的升温工序；对烧成工序后的β型赛隆进行退火处理的退火工序；对退火工序后的β型赛隆进行酸处理的酸处理工序。根据本发明，能够提供可实现高发光效率的β型赛隆及其制备方法和发光装置。
型赛隆及其制备方法发光装置

[发明专利]赛隆烧结体和切削刀片-CN201380018267.7有效
发明人：丰田亮二;吉川文博 -专利权人：日本特殊陶业株式会社
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： C04B35/599 文献下载
摘要：本发明提供赛隆烧结体和切削刀片，其具有耐破裂性、抗VB磨损性和抗边界磨损性。所述赛隆烧结体包括β-赛隆(Si_6-ZAl_ZO_ZN_8-Z)和选自由12H-赛隆、15R-赛隆和21R-赛隆组成的组的至少一种多型赛隆，其中Z值为0.4以上且1.0以下；各多型赛隆的峰强度的总和与各赛隆的峰强度的总和的比例为10％以上且50％以下，其由X射线衍射分析获得；所述赛隆烧结体包括至少一种选自由La和Ce组成的组的稀土元素B和至少一种选自由
烧结切削刀片

[发明专利]β型赛隆的制造方法-CN201110428060.X无效
发明人：市川恒希;小林庆太 -专利权人：电气化学工业株式会社
申请日： 2011-12-19 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种β型赛隆的制造方法，该方法通过提高漫反射率来提高发光效率。在本发明的β型赛隆的制造方法中，所述β型赛隆用通式：Si6-zAlzOzN8-z(0＜z＜4.2)表示，并固溶有Eu2+作为发光中心，在用蓝色光激发时在波长520nm至560nm的范围具有发光峰，该制造方法具有对原料进行烧结的烧结工序、对通过烧结工序生成的β型赛隆进行热处理的热处理工序和将热处理工序后的β型赛隆浸在混酸的水溶液中的酸处理工序。
型赛隆制造方法

[发明专利]赛隆烧结体及切削镶刀-CN201080011901.0有效
发明人：中山裕子;丰田亮二 -专利权人：日本特殊陶业株式会社
申请日： 2010-03-11 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： C04B35/599 文献下载
摘要：本发明提供提高赛隆烧结体的抗磨损性能的技术。一种赛隆烧结体，其具有α-赛隆和β-赛隆和12H-赛隆中至少包含β-赛隆和12H-赛隆的赛隆相。另外，该赛隆烧结体在设α-赛隆和β-赛隆和12H-赛隆的含量的总和为第一赛隆总量、设α-赛隆和12H-赛隆的含量的总和为第二赛隆总量时，第二赛隆总量相对于第一赛隆总量的比率大于20％且为55％以下，并且，12H-赛隆的含量相对于第一赛隆总量的比率为2％以上且55％以下。
烧结切削

[发明专利]β 型赛隆的制备方法-CN201180046132.2有效
发明人：江本秀幸 -专利权人：电气化学工业株式会社
申请日： 2011-04-21 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： C09K11/08 文献下载
摘要：本发明的目的是提供具有更高荧光强度的β型赛隆的制备方法。本发明的β型赛隆的制备方法具有：对含有硅、铝及铕的原料粉末进行混合的混合工序；将混合得到的原料在惰性气体或非氧化性气体的气氛中进行烧成，生成由通式：Si6－zAlzOzN8－z:Eu（0＜z＜4.2）表示的β型赛隆的烧成工序；对生成的β型赛隆进行退火处理的退火工序；对退火处理后的β型赛隆进行酸处理的酸处理工序。
型赛隆制备方法

[发明专利]α型赛隆荧光体、其制造方法及发光装置-CN201110221604.5有效
发明人：江本秀幸;川越美满;野见山智宏 -专利权人：电气化学工业株式会社
申请日： 2010-01-26 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：一种α型赛隆荧光体，其特征在于，该α型赛隆荧光体用通式：(M)x(Eu)y(Si，Al)12(O，N)16表示，其中M是选自由Li、Mg、Ca、Y和除La与Ce以外的镧系元素组成的组中的、至少包括Ca的一种以上的元素，氧含量为1.2质量％以下，构成α型赛隆的初级颗粒是柱状化的，该α型赛隆荧光体在以具有250～500nm的波长的紫外线或可见光作为激发源时，显示在595～630nm范围的波长区具有峰的荧光特性。
型赛隆荧光制造方法发光装置

[发明专利]α型赛隆荧光体、其制造方法及发光装置-CN201080005711.8无效
发明人：江本秀幸;川越美满;野见山智宏 -专利权人：电气化学工业株式会社
申请日： 2010-01-26 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：一种α型赛隆荧光体，其特征在于，该α型赛隆荧光体用通式：(M)x(Eu)y(Si，Al)12(O，N)16表示，其中M是选自由Li、Mg、Ca、Y和除La与Ce以外的镧系元素组成的组中的、至少包括Ca的一种以上的元素，氧含量为1.2质量％以下，构成α型赛隆的初级颗粒是柱状化的，该α型赛隆荧光体在以具有250～500nm的波长的紫外线或可见光作为激发源时，显示在595～630nm范围的波长区具有峰的荧光特性。
型赛隆荧光制造方法发光装置

[发明专利]α型赛隆、发光装置及其用途-CN201210020012.1有效
发明人：野野垣良三;野见山智宏;川越美满;山田铃弥 -专利权人：电气化学工业株式会社
申请日： 2012-01-21 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：本发明提供α型赛隆、发光装置及其用途，其能实现白色LED等发光装置的高亮度化并使Eu活化。α型赛隆是用通式：(M)x(Eu)y(Si)12-(m+n)(Al)m+n(O)n(N)16-n(M是从Li、Mg、Ca、Y和除La和Ce之外的镧系元素中选出的至少包含Ca的一种以上元素)表示并使Eu固溶，α型赛隆的一次粒子的50％面积平均粒径为5μm以上，优选α型赛隆的一次粒子的50％面积平均粒径与二次粒子的50％面积平均粒径之比为0.56以上。发光装置(10)包括发光光源(12)和波长转换部件(15)，波长转换部件(15)包括：吸收由发光光源(12)产生的近紫外至蓝色光并发出黄～橙色光的α型赛隆(18)。
型赛隆发光装置及其用途

[发明专利]β型赛隆荧光体及其制造方法、以及发光构件及发光装置-CN201710524257.0在审
发明人：江本秀幸;南云敏朗 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：本发明涉及β型赛隆荧光体及其制造方法、以及发光构件及发光装置,一种β型赛隆荧光体，其以β型赛隆作为基质晶体，含有Eu作为发光中心，其中，将Eu的化学状态分为Eu2+、Eu3+、及它们的中间状态(记为Eum
型赛隆荧光及其制造方法以及发光构件装置

[发明专利]β型赛隆荧光体和发光装置-CN201980075937.6有效
发明人：小林学;小林庆太;野见山智宏;渡边真太郎 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C09K11/08 文献下载
摘要：一种固溶有铕的β型赛隆荧光体，将上述β型赛隆荧光体的一次粒子的50％面积平均直径设为D50，将上述β型赛隆荧光体的一次粒子的10％面积平均直径设为D型赛隆荧光体的各个粒子中的晶体取向并针对各晶体取向区分出的单晶粒子。
型赛隆荧光发光装置

[发明专利]β型赛隆陶瓷荧光体-CN200680016345.X有效
发明人：广崎尚登;江本秀幸;伊吹山正浩 -专利权人：独立行政法人物质·材料研究机构;电气化学工业株式会社
申请日： 2006-05-10 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：本发明提供可以实现以蓝色～紫外光为光源的白色发光二极管的高亮度化的β型赛隆陶瓷荧光体，其以通式Si_6－zAl_zO_zN_8－z所示的β型赛隆陶瓷为母体材料、且固溶Eu作为发光中心，通式中的组成Z为0.24～0.42，Eu含量为0.05原子％～0.25原子％，并且含有至少90质量％以上的所述固溶Eu的β型赛隆陶瓷。β型赛隆陶瓷荧光体优选是平均粒径为1μm～20μm的粉末。通过使用蓝色或紫外光发光二极管作为激发光源，并与发黄色或红色光的荧光体组合使用，可以实现发光特性良好的白色LED。
型赛隆陶瓷荧光

[发明专利]赛隆烧结体和切削刀片-CN201580052870.6在审
发明人：豊田亮二;吉川文博;小村笃史 -专利权人：日本特殊陶业株式会社
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： C04B35/599 文献下载
摘要：本发明的课题在于，提供具有耐热冲击性和耐VB磨耗性的赛隆烧结体和切削刀片。一种赛隆烧结体以及切削刀片，该赛隆烧结体的特征在于，包含β‑赛隆和21R‑赛隆，根据由X射线衍射分析得到的赛隆的峰强度算出的前述21R‑赛隆的峰强度I21R相对于各赛隆的峰强度的总计IA的比例[(I21R
烧结切削刀片

[发明专利]氮化物荧光体粒子分散型赛隆陶瓷及其制造方法、和荧光部件-CN201780059099.4有效
发明人：高桥拓实;多多见纯一;国分一平;横内正洋 -专利权人：地方独立行政法人神奈川县立产业技术综合研究所;国立大学法人横滨国立大学
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C09K11/08 文献下载
摘要：本发明的氮化物荧光体粒子分散型赛隆陶瓷，包含由赛隆系化合物构成的基质，以及分散在所述基质中并含有发光中心元素的至少一种氮化物荧光体。
氮化物荧光粒子分散型赛隆陶瓷及其制造方法部件

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