[发明专利]阶梯结构的制造方法有效
申请号: | 201710516801.7 | 申请日: | 2017-06-29 |
公开(公告)号: | CN107275194B | 公开(公告)日: | 2020-01-24 |
发明(设计)人: | 赵学峰;李立文;李志栓;汤光洪 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/033 |
代理公司: | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 智云 |
地址: | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阶梯 结构 制造 方法 | ||
本发明揭示了一种阶梯结构的制造方法。本发明提供的一种阶梯结构的制造方法,包括提供一前端结构;刻蚀所述前端结构形成两个台阶;在所述两个台阶上形成遮蔽层;在所述遮蔽层上形成光刻胶层,并在光刻胶层中形成位于一个台阶上方的开口;自所述开口刻蚀所述遮蔽层和前端结构,形成三个台阶;以及去除所述光刻胶层和遮蔽层;其中,所述台阶包括一台阶面和一侧壁,所述台阶面一端与所述侧壁顶端相连接。由此采用较少的光刻次数,获得多个台阶。借助于遮蔽层的存在,使得光刻时的对准偏差所带来的缺陷被遮蔽层承受,规避了对准偏差所带来的缺陷。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,特别是涉及一种阶梯结构的制造方法。
背景技术
目前越来越多的产品要求在纵向同一个介质层面能够形成多阶梯结构,但由于线宽越来越小,阶梯形貌要求越来越高,成本压力越来越大,按传统的做法形成的阶梯结构已经不能够满足需求。
请参考图1-图3,示出了一种阶梯结构的形成方法。包括如下步骤:
如图1所示,先对衬底10进行第一次光刻刻蚀,形成台阶11和台阶12。并且可见台阶11、12皆包括台阶面和侧壁。
如图2所示,接着进行第二次光刻刻蚀,具体是刻蚀台阶12形成台阶13,同时刻蚀台阶11,形成台阶14和台阶15。
如图3所示,接着进行第三次光刻刻蚀,具体是刻蚀台阶13形成台阶16,刻蚀台阶14形成台阶17,同时刻蚀台阶15形成台阶18和台阶19。
由此,可以获得阶梯结构。但是也可以看出,例如对于这种最终形成4个台阶的阶梯结构,需要3次的光刻过程。进一步可以得知,对于形成N个台阶的情况,需要N-1次光刻过程。
于是业界开发出一种新的方法,请参考图4-图5,包括如下步骤:
如图4所示,先对衬底20进行第一次光刻刻蚀,形成台阶21和台阶22。并且可见台阶21、22皆包括台阶面和侧壁。
如图5所示,进行第二次光刻,包括在台阶21和台阶22的台阶面上形成光刻胶221,同时经过图案化使得光刻胶221暴露出靠近各自侧壁处的台阶面。
如图6所示,以光刻胶为掩膜进行刻蚀,并去除光刻胶,从而形成台阶23、24、25及26。
由此,可以获得阶梯结构。也可以看出,这种方法所需的光刻过程会大幅度降低。例如对于需要8阶台阶的情况,只需要执行3次光刻,而第一种方法则需要7次。
但由于光刻机存在对准偏差,这样采用第二种方法时,台阶会出现柱状异常或沟槽异常。
如图7所示,若对准时出现异常,例如左偏(偏向台阶21的台阶面),会导致台阶21侧壁处的光刻胶221覆盖部分台阶面,如图中虚线范围26所示,从而刻蚀后,如图8所示,形成一柱状异常27。
如图9所示,若对准时出现异常,例如右偏(偏向台阶22的台阶面),会导致台阶21侧壁处的光刻胶221脱离该侧壁,如图中虚线范围28所示,从而刻蚀后,如图10所示,形成一沟槽异常29。
于是,如何改善上述缺陷,成为本领域亟待解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阶梯结构的制造方法,能够以较少的光刻次数,获得多个台阶。
为解决上述技术问题,本发明提供一种阶梯结构的制造方法,包括:
提供一前端结构;
刻蚀所述前端结构形成两个台阶;
在所述两个台阶上形成遮蔽层;
在所述遮蔽层上形成光刻胶层,并在光刻胶层中形成位于一个台阶上方的开口;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州士兰集成电路有限公司,未经杭州士兰集成电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710516801.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造