[发明专利]具有应力分量的异质接面双极晶体管有效

申请号：	201710513610.5	申请日：	2017-06-29
公开（公告）号：	CN107546264B	公开（公告）日：	2021-06-11
发明（设计）人：	V·贾殷;R·A·卡米洛卡斯蒂洛;A·K·斯坦珀	申请（专利权）人：	格芯(美国)集成电路科技有限公司
主分类号：	H01L29/737	分类号：	H01L29/737;H01L21/331
代理公司：	北京戈程知识产权代理有限公司 11314	代理人：	程伟;王锦阳
地址：	美国加利***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	具有应力分量异质接面双极晶体管
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【说明书】：

本发明涉及具有应力分量的异质接面双极晶体管，其关于半导体结构，并且尤指具有应力分量的异质接面双极晶体管及其制造方法。该异质接面双极晶体管包括集电极区、发射极区与基极区。于衬底的沟槽内形成至少围绕该集电极区与该基极区的应力材料。

技术领域

本发明关于半导体结构，并且尤指具有应力分量的异质接面双极晶体管及其制造方法。

背景技术

异质接面双极晶体管(HBT)属于双极性接面晶体管(BJT)的一种类型，其对于发射极与基极(或基极与集电极)区使用不同半导体材料，建立异质接面。此HBT可处理非常高频的信号，可高达数百GHz。其常用于现代电路中，大部分是射频(RF)系统，也常用于需要高功率效率的应用中，例如：蜂巢式手机中的RF功率放大器。

为了要提升现世代HB的效能，必须降低寄生电阻与电容，诸如基极电阻(Rb)、集电极基极电容(Ccb)以及基极发射极电容(Cbe)。更高的ft/fmax及改善的柯克电流(kirkcurrent)极限也会提升此HBT的效能。

发明内容

在本发明的一态样中，一种结构包含：集电极区、发射极区与基极区；以及应力材料，形成于衬底(substrate)的沟槽内并且围绕至少该集电极区与该基极区。

在本发明的一态样中，一种异质接面双极晶体管包含：由衬底材料所构成的集电极区；位在该集电极区上面并且由本质基极层所构成的基极区；位在该基极区上面并且由发射极材料所构成的发射极区；沟槽，形成于该衬底中并且围绕该基极区与该集电极区；以及形成于该沟槽内并且对该集电极区与该基极区提供应力分量的应力材料。

在本发明的一态样中，一种方法包含：形成衬底材料的集电极区；在该集电极区上面形成基极区；在该基极区上面形成发射极区；于该衬底中形成围绕该基极区与该集电极区的沟槽；以及于该沟槽内形成半导体材料的应力材料，并且该应力材料对该集电极区与该基极区提供应力分量。

附图说明

本发明是通过本发明的例示性具体实施例的非限制性实施例，参照注记的多个图式，在下文的具体实施例中详细说明。

图1根据本发明的态样展示分层结构及各别制造程序。

图2根据本发明的态样展示具有堆栈层的基极区及各别制造程序。

图3根据本发明的态样展示与应力材料排齐的(多个)沟槽及各别制造程序。

图4根据本发明的态样展示不具有应力材料的沟槽的底端表面及各别制造程序。

图5根据本发明的态样展示以半导体材料来填充的沟槽及各别制造程序。