[发明专利]显示装置有效
申请号: | 201710513585.0 | 申请日: | 2017-06-29 |
公开(公告)号: | CN107623008B | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | 吉贺正博 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
本发明提供一种显示装置,所述显示装置包含衬底、第一栅电极、第二栅电极、主动层以及第一数据电极。所述第一栅电极配置在所述衬底上。所述第二栅电极配置在所述第一栅电极与所述衬底之间。所述主动层配置在所述第一栅电极与所述第二栅电极之间。所述主动层与所述第一栅电极以及所述第二栅电极重叠。所述第一数据电极配置在所述衬底上,并且连接到所述主动层。所述第一栅电极以及所述第二栅电极中的一者连接到所述第一数据电极。
技术领域
本发明大体上涉及显示装置,具体来说,涉及能够减小泄漏电流(an off leakcurrent)的显示装置。
背景技术
对于显示面板,显示装置在其中的泄漏电流是重要的问题。较大泄漏电流将显着地影响显示面板的功率消耗和显示质量。在显示装置包含双栅极薄膜晶体管的现有技术中,经由个别信号线将恒定电压施加到额外背栅电极。准备个别信号线以对背栅电极施加恒定电压信号,来调制施加到薄膜晶体管的通道的栅极电压。在薄膜晶体管背栅极电压调制中,阈值电压的减小引起泄漏电流的增大,并且反之亦然。阈值电压与泄漏电流之间的最佳条件受到限制。
因此,如何制造具有低功率消耗和令人满意的显示质量而不增大电路复杂度的显示装置是相关领域中最重要的课题之一。
发明内容
因此,本发明针对一种能够减小泄漏电流的显示装置。
本发明的一实施例提供一种显示装置,所述显示装置包含衬底、第一栅电极、第二栅电极、主动层以及第一数据电极。所述第一栅电极配置在所述衬底上。所述第二栅电极配置在所述第一栅电极与所述衬底之间。所述主动层配置在所述第一栅电极与所述第二栅电极之间。所述主动层与所述第一栅电极以及所述第二栅电极重叠。所述第一数据电极配置在所述衬底上,并且连接到所述主动层。所述第一栅电极以及所述第二栅电极中的一者连接到所述第一数据电极。
在本发明的一示范性实施例中,所述第二栅电极连接到所述第一数据电极。所述第一栅电极与所述第二栅电极以及所述第一数据电极电隔离。
基于上文,在本发明的实施例中,所述显示装置包含双栅电极。所述第一栅电极以及所述第二栅电极中的一者连接到所述数据线,以便减小所述泄漏电流。
为了使本发明的前述以及其它特征和优点易于了解,下文详细描述伴随附图的若干示范性实施例。
附图说明
包含附图以提供对本发明的进一步理解,并且附图并入本说明书中并且构成本说明书的一部分。附图说明本发明的实施例,并且与描述内容一起用来解释本发明的原理。
图1说明根据本发明的一实施例的显示装置的截面图。
图2说明根据本发明的一实施例的在图1中所描绘的显示装置的等效电路。
图3说明根据本发明的一实施例的显示面板的示意图。
图4说明根据本发明的另一个实施例的显示装置的截面图。
图5说明根据本发明的一实施例的在图4中所描绘的显示装置的等效电路。
图6说明根据本发明的另一个实施例的显示面板的示意图。
图7说明根据本发明的另一个实施例的显示面板的示意图。
图8说明根据本发明的另一个实施例的显示面板的示意图。
图9说明根据本发明的另一个实施例的显示装置的截面图。
图10说明根据本发明的一实施例的在图9中所描绘的显示装置的等效电路。
[组件符号说明]
100、200A、200B、200C:显示单元
102、202、302:双栅极薄膜晶体管(TFT)结构
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的