[发明专利]一种可降解的蛋白基晶体管型存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种可降解的蛋白基晶体管型存储器的制备方法，其特征在于，包括步骤：

A、在硅片或者玻璃基底上旋涂一层PEDOT：PSS溶液制得栅极材料，并在所述栅极材料上继续旋涂一层蚕丝蛋白质水溶液，于室温条件下隔夜结晶，并将带有PEDOT：PSS栅极的蚕丝蛋白膜层剥离，制得以蚕丝蛋白基底为基底的栅极；

B、在涂有PEDOT：PSS的栅极上旋涂一层PVPY或PVA溶液并退火处理，制得介电层；

C、在介电层上旋涂一层蚕丝蛋白质水溶液，并于室温条件下隔夜结晶，制得蛋白质基的电荷俘获层；

D、将水溶性的半导体PEN-OX蒸镀到电荷俘获层上表面制得有机半导体层；

E、将镁热蒸发到半导体层上表面制得源极和漏极。

2.根据权利要求1所述的可降解的蛋白基晶体管型存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤A具体包括：

A1、在Si片或者玻璃基底上于旋涂仪的转速为3000-5000 r/min，时间为30-50 s的条件下，旋涂一层PEDOT：PSS溶液制得栅极材料；

A2、将所述栅极材料于120℃下退火处理30 min；

A3、在所述栅极材料上多次旋涂蚕丝蛋白质水溶液形成一层50μm厚的蚕丝蛋白层，每次旋涂后于室温下放置4小时，完成全部旋涂后于室温条件下隔夜结晶；

A4、将带有PEDOT：PSS栅极的蚕丝蛋白层膜从Si片或者玻璃基底上剥离，并将其转移至平整的支撑基底上，其中，PEDOT：PSS栅极朝上放置。

3.根据权利要求1所述的可降解的蛋白基晶体管型存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤B具体包括：

B1、在PEDOT：PSS栅极上于旋涂仪的转速为4000r/min，时间为30s的条件下旋涂一层PVPY或PVA水溶液；

B2、于120℃下退火处理15min，制得介电层。

4.根据权利要求1所述的可降解的蛋白基晶体管型存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤D中将水溶性的半导体PEN-OX蒸镀到电荷俘获层上表面时，所使用的蒸镀仪的速率设为0.2埃/秒。

5.根据权利要求1所述的可降解的蛋白基晶体管型存储器的制备方法，其特征在于，步骤E中所述源极和漏极的沟道长度/宽度= 30微米/1000微米。

6.根据权利要求1所述的可降解的蛋白基晶体管型存储器的制备方法，其特征在于，所述蚕丝蛋白质的提取和纯化包括步骤：

P1、将家蚕蚕茧放入煮沸的0.02M碳酸钠溶液中煮沸45min，用去离子水除去丝胶；

P2、将步骤P1中得到的蚕丝蛋白纤维溶解于溴化锂溶液，加热4h；将得到的溶液在去离子水中透析72h，除去蛋白溶液中的溴化锂；透析结束后离心，制得蚕丝蛋白溶液。