[发明专利]光栅的制备方法

权利要求书

1.一种光栅的制备方法，其包括以下步骤：

提供一基板，在所述基板的表面设置一第一光刻胶层，在所述第一光刻胶层远离所述基板的表面设置一第二光刻胶层，该第二光刻胶层的曝光剂量大于第一光刻胶层的曝光剂量，所述第一光刻胶层和第二光刻胶层均为电子束光刻胶，所述曝光剂量为电子束光刻胶单位面积所需的能量；

对所述第一光刻胶层和第二光刻胶层进行曝光，所述对第一光刻胶层和第二光刻胶层曝光的过程为：采用一电子束垂直入射所述第二光刻胶层表面，该电子束相继穿透第二光刻胶层和第一光刻胶层；

对第一光刻胶层和第二光刻胶层进行显影，形成图案化光刻胶层，基板的部分表面暴露，该图案化光刻胶层的表面具有多个顶面及侧面，每相邻的顶面、侧面及与该侧面连接的暴露的基板表面形成Z型表面；

在所述图案化光刻胶层和暴露的基板形成的Z型表面上沉积一预制层，得到Z型结构；

去除所述图案化光刻胶层。

2.如权利要求1所述光栅的制备方法，其特征在于，所述第二光刻胶层的曝光剂量与第一光刻胶层的曝光剂量比值大于3：1。

3.如权利要求1所述光栅的制备方法，其特征在于，所述第二光刻胶层的厚度为100纳米-300纳米。

4.如权利要求1所述光栅的制备方法，其特征在于，该电子束中的部分电子达到所述基板后发生背散射，发生背散射的电子入射至该第一光刻胶层，对该第一光刻胶层进行二次曝光。

5.如权利要求1所述光栅的制备方法，其特征在于，所述第一光刻胶层的曝光区域大于第二光刻胶层的曝光区域。

6.如权利要求1所述光栅的制备方法，其特征在于，所述顶面为远离所述基板并与该基板的表面平行的表面，所述侧面为显影后形成的表面，该侧面包括第一侧面和第二侧面，所述第一侧面和第二侧面呈镜面对称分布，所述侧面与顶面的夹角为α，α满足0α90°。

7.如权利要求6所述光栅的制备方法，其特征在于，在所述图案化光刻胶层的多个顶面、多个第一侧面、及与该多个第一侧面相邻的暴露的基板表面沉积的预制层形成多个方向一致的Z型结构。

8.如权利要求6所述光栅的制备方法，其特征在于，在所述图案化光刻胶层的多个顶面、多个第一侧面、多个第二侧面、及暴露的基板表面沉积的预制层形成一连续的Z型结构。