[发明专利]LED、背光模组以及液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，特别涉及一种LED、背光模组以及液晶显示装置。

背景技术

量子点由于其发光波长可调，能覆盖380—780nm所有可见光波段，以及新一代量子点半波宽更窄的特点，量子点技术被视为下一代照明和显示技术的有力竞争者。现有的量子点技术应用于背光显示领域，是通过将量子点制作成量子膜和量子管的方式来实现的，其都能有效利用量子点的优点来实现背光系统的高色域显示。但由于制作成量子膜方式，需要使用大量的量子点材料，实现此种方式的成本较高，而制作成量子管方式，需要额外的装置来对量子管进行加持和定位，且存在断管和碎裂的风险，故这两种方式成本都过高，都不是将量子点应用于背光显示领域的最好方式。

发明内容

本发明的主要目的是提出一种LED以及液晶显示装置，旨在解决现有的将量子点技术运用于背光显示领域成本过高的问题。

为实现上述目的，本发明提出的LED，包括：

支架，具有朝上开口的腔体；

蓝光芯片，位于所述支架的腔体内，且安装在所述支架的底壁；以及，

光转换层，封装于所述支架的腔体内，所述光转换层包括红色量子点、绿色量子点和阻隔层，所述阻隔层包裹所述红色量子点和所述绿色量子点设置。

优选地，每一所述红色量子点和所述绿色量子点的外侧包裹设置有所述阻隔层。

优选地，所述红色量子点和所述绿色量子点在上下向上分层设置，以形成红色量子点层和绿色量子点层；

所述红色量子点层和绿色量子点层的外围分别包裹设置有所述阻隔层。

优选地，所述绿色量子点与所述红色量子点的质量比大于3:1。

优选地，所述蓝光芯片包括外延发光层，组成所述外延发光层的材料包括InxGa1-xN合金和GaN，且所述外延发光层的厚度为1μm到15μm，所述蓝光芯片的峰值波长为430nm到470nm。

优选地，所述绿色量子点的直径为2nm到4nm，所述绿色量子点被激发的绿光峰值波长为520nm到550nm；和/或，

所述红色量子点的直径为8nm到10nm，所述红色量子点被激发的红光峰值波长为630nm到670nm。

优选地，所述红色量子点和绿色量子点的材料为GaN、GaP、GaAs、InN、InP、InAs、CdSe、CdTe、MgS、MgSe、MgTe、CaS、CaSe、CaTe、SrS、SrSe、SrTe、BaS、BaSe、BaTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CH3NH3PbX3(X＝Cl，Br，I)和CsPbX3(X＝Cl，Br，I)中的至少一种。

优选地，所述阻隔层的材料为SiO₂、TiO₂、Al₂O₃、CaCO₃、BaSO₄、聚甲基丙烯酸甲酯PMMA、聚苯乙烯PS、烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物ABS、聚氨酯PU和有机硅聚合物的至少一种。

本发明还提供一种背光模组，包括LED，所述LED包括：

支架，具有朝上开口的腔体；

蓝光芯片，位于所述支架的腔体内，且安装在所述支架的底壁；以及，

光转换层，封装于所述支架的腔体内，所述光转换层包括红色量子点、绿色量子点和阻隔层，所述阻隔层包裹所述红色量子点和所述绿色量子点设置。

本发明还提供一种液晶显示装置，包括背光模组，所述背光模组包括LED，所述LED包括：

支架，具有朝上开口的腔体；

蓝光芯片，位于所述支架的腔体内，且安装在所述支架的底壁；以及，

光转换层，封装于所述支架的腔体内，所述光转换层包括红色量子点、绿色量子点和阻隔层，所述阻隔层包裹所述红色量子点和所述绿色量子点设置。

本发明提供的技术方案中，所述LED包括支架以及位于支架内的蓝光芯片，通过将红色量子点和绿色量子点封装于所述支架内，形成光转换层，最终得到发白光的LED发光单元，且设有阻隔层包裹所述红色量子点和所述绿色量子点，避免了外部的氧和水对所述红色量子点和所述绿色量子点的性能造成影响，相对于现有技术，通过制作所述LED的方式，极大的降低量子点技术应用于背光显示领域的成本。

附图说明