[发明专利]一种三维自限制精确制造硅纳米线柱的方法有效
| 申请号： | 201710488947.5 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN107331611B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 许开东 | 申请（专利权）人： | 江苏鲁汶仪器有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京申云知识产权代理事务所(普通合伙) 32274 | 代理人： | 邱兴天 |
| 地址： | 221300 江苏省徐*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 三维 限制 精确 制造 纳米 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种三维自限制精确制造硅纳米线柱的方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）Si表面自我限制氧化层的形成；Si在常温下与O2反应形成SiO2，厚度为1至几个原子厚度；
2）在真空反应腔内，控制衬底温度0~200℃，用O2处理1~10s，SiO2厚度3A；然后抽空腔体残余O2，多余O气氛去除；
3）通入HF气体，处理1~10s，使用HF选择性腐蚀掉SiO2，选择性化学刻蚀掉SiO层； 4）重复步骤1）~3），实现精确控制刻蚀量；循环刻蚀，控制最终留下的硅线柱宽3-10nm；
制备之前：用长膜和光刻及刻蚀技术，生长出阻挡层HfO2，Si厚度50~100nm，硬掩蔽层Al2O3；光刻出90nm~45nm尺寸的线或柱出来，去除光刻胶；采用稀释的HCl选择性去除掩蔽层Al2O3，获得纳米尺度的硅线柱。
2.根据权利要求1所述的三维自限制精确制造硅纳米线柱的方法，其特征在于，阻挡层HfO2厚度1~10nm。
3.根据权利要求1所述的三维自限制精确制造硅纳米线柱的方法，其特征在于，硬掩蔽层Al2O3厚度1~10nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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