[发明专利]晶棒的测试方法以及晶棒生长装置

说明书

本发明提供一种晶棒的测试方法以及晶棒生长装置，所述晶棒的测试方法包括：提供一生长中的晶棒，所述晶棒具有生长棱线；采集所述生长棱线的图像数据；将采集的所述生长棱线的图像数据与预设值进行比较。本发明提供的晶棒的测试方法以及晶棒生长装置，通过采集晶棒的生长棱线的图像数据，并将采集的所述生长棱线的图像数据与预设值进行比较，可及时高效的反馈晶棒的长晶情况，从而确定晶棒是否生长正常，相比于人工判断，提高了判断的准确性，提高生产效率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶棒的测试方法以及晶棒生长装置。

背景技术

在半导体制造中，晶圆是通过晶棒切割出来的，晶棒的质量好坏会对后续的生产工艺产生较大的影响。晶棒是含硅原料在晶棒生长装置中经加热熔化，例如单晶棒是多晶硅在长晶炉中加热融化，待温度合适后，经过一系列步骤，最后拉制而成。

在直拉法生长晶棒的过程中,晶棒生长的成功与否以及质量的高低会由晶棒生长装置中热场的温度分布等决定。例如，温度分布合适的热场，不仅硅单晶生长顺利，而且品质较高；如果热场的温度分布不是很合理，生长硅单晶的过程中容易产生各种缺陷，影响质量，情况严重的出现变晶现象生长不出来单晶。但是，检测晶棒是否完整完全等好坏主要依据人工目测来完成，在长晶过程中判断单晶硅是否保持完整晶体结构，在回熔、掉料等工艺过程大多是建立在这种人工判断的基础上。随着晶棒尺寸的不断增大，长晶时间久，参与的人员数目也较多。由于每个人的判断都不一样，导致不同的操作者会做出不同的判断，会浪费生产过程中的大量资源，并降低生产效率。

因此，如何更好的检测生长的晶棒是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶棒的测试方法以及晶棒生长装置，解决晶棒不便检测的问题。

为了解决上述问题，本发明提供一种晶棒的测试方法，所述晶棒的测试方法包括：

提供一生长中的晶棒，所述晶棒具有生长棱线；

采集所述生长棱线的图像数据；

将采集的所述生长棱线的图像数据与预设值进行比较。

可选的，在所述晶棒的测试方法中，实时或者定时采集所述生长棱线的图像数据。

可选的，在所述晶棒的测试方法中，当采集的所述生长棱线的图像数据超出预设值时，发出警报。

可选的，在所述晶棒的测试方法中，所述晶棒设置在磁场环境中。

可选的，在所述晶棒的测试方法中，所述晶棒的生长过程包括引晶、放肩、转肩和/或等径。

可选的，在所述晶棒的测试方法中，所述晶棒的晶体取向为〈100〉、〈110〉或〈111〉。

可选的，在所述晶棒的测试方法中，采集所述生长中的晶棒的多个生长棱线。

本发明还提供一种晶棒生长装置，所述晶棒生长装置包括拉晶炉和图像采集单元，所述拉晶炉用于生长晶棒，所述晶棒具有生长棱线，所述图像采集单元对准所述晶棒并采集所述生长棱线的图像数据。

可选的，在所述晶棒生长装置中，还包括图像分析单元，所述图像分析单元将采集的所述生长棱线的图像数据与预设值进行比较。

可选的，在所述晶棒生长装置中，还包括报警装置，所述报警装置连接所述图像分析单元。

可选的，在所述晶棒生长装置中，还包括电磁线圈，所述电磁线圈使所述晶棒位于磁场环境中。

本发明提供的晶棒的测试方法以及晶棒生长装置，通过采集晶棒的生长棱线的图像数据，并将采集的所述生长棱线的图像数据与预设值进行比较，可及时高效的反馈晶棒的长晶情况，从而确定晶棒是否生长正常，相比于人工判断，提高了判断的准确性，提高生产效率。